The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device including an upper channel injection transistor. The method includes forming one or more fins extending in a first direction over a substrate. One or more fins include a first region along a first direction and a second region along the first direction on both sides of the first region. The dopant is injected into the upper portion of the first region of the fin without injecting the second region and not in the lower part of the first region of the fin. A gate structure extending in a second direction perpendicular to the first direction is formed above the first region of the fin, and the source / drain is formed over the second region of the fin to form an upper channel injection transistor. The embodiment of the invention relates to a high injection channel semiconductor device and a manufacturing method thereof.
【技术实现步骤摘要】
本申请公开的主题类似于与本申请同时提交的MWE摘要第09571410027号。MWE摘要第09571410027号的全部内容结合与此作为参考。
本专利技术实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。
技术介绍
在追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本中,随着半导体工业已经进入到纳米技术工艺节点,来自制造和设计问题的挑战已经导致了诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维设计的发展。FinFET器件通常包括具有高纵横比的半导体鳍并且在半导体鳍中形成半导体晶体管器件的沟道和源极/漏极区。利用沟道和源极/漏极区的增大的表面面积的优势,沿着鳍结构的侧面并且在鳍结构的侧面上方(如,围绕)形成栅极,以产生更快、更可靠和更好控制的半导体晶体管器件。在一些器件中,例如,FinFET的源极/漏极(S/D)部分中的应变材料使用硅锗(SiGe)、磷化硅(SiP)或碳化硅(SiC)可以用于增强载流子迁移率。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例,提供了一种用于制造包括上部沟道注入沟道晶体管的半导体器件的方法,包括:在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍,其中,所述一个或多个鳍包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域的两侧上的沿着所述第一方向的第二区域,在所述鳍的所述第一区域的上部中而不在所述第二区域中以及不在所述鳍的所述第一区域的下部中执行掺杂剂的浅注入;在所述鳍的所述第一区域上面
形成在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的栅极结构;以及在所述鳍的所述第二区域上形成源极/漏极,从而形成上部沟道注入沟道晶体管。根据本专利技术的另一实施例,还提供了一 ...
【技术保护点】
一种用于制造包括上部沟道注入沟道晶体管的半导体器件的方法,包括:在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍,其中,所述一个或多个鳍包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域的两侧上的沿着所述第一方向的第二区域,在所述鳍的所述第一区域的上部中而不在所述第二区域中以及不在所述鳍的所述第一区域的下部中执行掺杂剂的浅注入;在所述鳍的所述第一区域上面形成在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的栅极结构;以及在所述鳍的所述第二区域上形成源极/漏极,从而形成上部沟道注入沟道晶体管。
【技术特征摘要】
2015.06.05 US 14/732,6701.一种用于制造包括上部沟道注入沟道晶体管的半导体器件的方法,包括:在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍,其中,所述一个或多个鳍包括沿着所述第一方向的第一区域和位于所述第一区域的两侧上的沿着所述第一方向的第二区域,在所述鳍的所述第一区域的上部中而不在所述第二区域中以及不在所述鳍的所述第一区域的下部中执行掺杂剂的浅注入;在所述鳍的所述第一区域上面形成在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸的栅极结构;以及在所述鳍的所述第二区域上形成源极/漏极,从而形成上部沟道注入沟道晶体管。2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中,所述掺杂剂是从由B、BF2、Al、Ga和它们的组合组成的组中选择的P型掺杂剂。3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法,其中,所述P型掺杂剂是BF2。4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中,所述掺杂剂是从由P、As、Sb和它们的组合组成的组中选择的N型掺杂剂。5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中,在10KeV的能量下并且以1×1012离子/平方厘米至1×1014离子/平方厘米的剂量注入所述掺杂剂。6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法,其中,以1.7×1013离子/平方厘米至3.7×1013离子/平方厘米的剂量注入所述掺杂剂。7....
【专利技术属性】
技术研发人员:陈家忠,黄崎峰,梁其翔,蔡辅桓,谢协宏,叶子祯,蔡汉旻,朱虹霖,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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