【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于限制充电效应(effet de charge)的离子注入机电源。本专利技术的领域是以等离子体浸没方式工作的离子注入机。因此，衬底的离子注入包括将所述衬底浸没于等离子体中，并使衬底极化而带上负电压，从几十伏到几十千伏不等(一般低于100千伏)，以形成一电场，所述电场能够朝所述衬底方向加速所述等离子体中的离子。所述离子的穿透深度由其加速能量确定。所述穿透深度一方面取决于施加在所述衬底上的电压，另一方面取决于所述离子和所述衬底各自的特性。注入的离子浓度取决于剂量和所述注入深度，所述剂量表示为每平方厘米的离子数。基于等离子体物理学方面的原因，施加所述电压几个纳秒后，在所述衬底周围生成了离子云(gaine ionique，离子鞘，离子壳层)。负责将所述离子朝所述衬底方向加速电势差存在于所述离子云的边缘。所述离子云随时间的增加遵循下述Child-Langmuir方程jc=49ϵ0(2eM)1/2V03/2S2]]>这里，jc电流密度ε0真空介电常数e离子电量M离子质量V0穿过离子云的势差S离子云的厚度通过规定所述电流密度等于单...
【技术保护点】
离子注入机ＩＭＰ的电源ＡＬＴ、ＡＬＴｉ、ＡＬＴｊ，包括设置于衬底支承台ＰＰＳ和大地Ｅ之间的电发生器ＳＯＵ，以及同样设置于所述衬底支承台ＰＰＳ和大地Ｅ之间的分流支路中的电容器ＣＤＳ，其特征在于，所述电容器ＣＤＳ的电容小于５纳法。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2004-6-16 04064951.离子注入机IMP的电源ALT、ALTi、ALTj，包括设置于衬底支承台PPS和大地E之间的电发生器SOU，以及同样设置于所述衬底支承台PPS和大地E之间的分流支路中的电容器CDS，其特征在于，所述电容器CDS的电容小于5纳法。2.按照权利要求1所述的电源，其特征在于，所述分流支路简化为所述电容器CDS。3.按照权利要求1或2所述的电源，其特征在于，所述电发生器是电压发生器ALTi，所述电源包括与所述电压发生器相串联的负载阻抗Z。4.按照权利要求3所述的电源，其特征在于，所述负载阻抗Z为介于200和2000千欧之间的电阻。5.按照前述权利要求3或4所述的电源，其特征在于，所述发生器ALTi提供的电压介于-100和-10000伏之间。6.按照权利要求1或2所述的电源，其特征在于，所述电发生器是电流发生器ALTj。7. 按照权利要求6所述的电源，其特征在于，所述发生器ALTj提供的电压介于-100和-100000伏之间。8.离子注入机，包括根据权利要求1到5之一所述的电源和脉冲等离子体源ALP，其特征在于，其包括使所...
【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克托瑞格罗萨，吉勒斯马修，
申请(专利权)人：离子射线服务公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]
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