等离子体处理设备，用于其电极构件及电极构件制造和重复利用方法技术

在一种通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体处理设备中，紧靠工件的下表面的电极构件（４６）通过焊接冷却板（４４）和具有多个通孔（４５ａ）的板状抽吸构件（４５）而构成，通过喷涂氧化铝获得的喷涂膜（６５）形成于抽吸构件（４５）的上表面上，此外，通孔（４５ａ）形成的孔部分（４５ｄ）的边缘用喷涂膜（６５）覆盖。从而，可以减少由于溅射的电极构件的消耗以延长寿命，因此降低部件消耗成本并防止设备的内部被散布的物质污染。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种由设置比如半导体晶片的板状工件作为目标来进行等 离子体处理的等离子体处理设备，该等离子体处理设备的电极构件，该电极 构件的制作方法，以及重复利用方法。
技术介绍
安装在电子设备的基板上的半导体元件通过将晶片状态的经历电路图 案形成的半导体元件切割成单独的片来制造。近年来，半导体元件的厚度已 被减小，使得处理晶片状态的半导体元件的难度被增加。从而，已使用进行 切片的等离子体切片以通过等离子体蚀刻来将半导体晶片切割并划分成独 立的片的半导体元件(例如，见专利文件l)。在等离子体切片中，等离子体蚀刻在除了切片线之外的部分受到由抗蚀 剂膜的掩蔽的状态被进行，因此沿切片线切片半导体晶片。切片之后，有必 要除去抗蚀剂膜。因此，在专利文件1中公布的现有技术的实例中，使用相 同的等离子体处理设备由等离子体灰化除去抗蚀剂膜。在等离子体灰化中，在除去抗蚀剂膜中产生的反应产物被散布为颗粒且 它们被粘附和沉积到等离子体处理设备的内部。为此原因，有必要执行旨在 除去这些粘附和沉积的物质的清洗。在清洗中，等离子体处理在其上安装半 导体晶片的下电极的上表面被暴露的状态进行，使得粘附和沉积的物质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体处理设备，包括：真空腔；下电极，设在真空腔内并具有安装在其上的工件；上电极，布置在所述下电极之上；处理空间，形成于所述下电极和所述上电极之间；以及等离子体产生装置，在所述处理空间中产生等离子体，其中在所述下电极内紧靠工件的下表面的电极构件包括：板状构件，其上形成有多个通孔，和介电膜，通过喷涂电介质到所述板状构件的上表面上形成并呈这样的形状以覆盖在所述板状构件的上表面上形成所述通孔的孔部分的边缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2005-9-12 263410/20051.一种通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体处理设备，包括真空腔；下电极，设在真空腔内并具有安装在其上的工件；上电极，布置在所述下电极之上；处理空间，形成于所述下电极和所述上电极之间；以及等离子体产生装置，在所述处理空间中产生等离子体，其中在所述下电极内紧靠工件的下表面的电极构件包括板状构件，其上形成有多个通孔，和介电膜，通过喷涂电介质到所述板状构件的上表面上形成并呈这样的形状以覆盖在所述板状构件的上表面上形成所述通孔的孔部分的边缘。2. —种通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体处理 设备的电极构件，其用在等离子体处理设备中并在其上安装有工件的下电极 中紧靠工件的下表面，所述电极构件包括板状构件，其上形成有多个通孔，和介电膜，通过喷涂电介质到所述板状构件的上表面上形成并呈这样的形 状以覆盖在所述板状构件的上表面上形成所述通孔的孔部分的边缘。3. —种制造通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体 处理设备的电极构件的电极构件制造方法，所迷电极构件用在等离子体处理 设备中并在其上安装有工件的下电极中紧靠工件的下表面，该方...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩井哲博，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]