【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是有关于一种可测量离子束特性的装置与方法，且特别是有关于一 种可执行法拉第筒与能量污染监测器功能的装置与方法。
技术介绍
法拉第筒(Faraday Cup)，或简称法拉第(Faraday)是以从地面对进入其中的 每一个正离子(positive ion)提取电子(electron)的方式来测量离子束(ion beam)电 流。法拉第磁场可避免外部的次要电子(secondary electrons)进入及防止所产生 的次要电子流出，因此可不受外来的充电粒子的影响，而能测量离子束本身的 电流。能量污染监测器(energy contamination monitor)可用来监测已变为中性 (neutral)的减速离子束(decelerated ion beam)中的离子。响应检测这种离子束的 中性行为，可将离子注入器(ion implanter)做适当调整，以在其注入晶圆片(wafer) 之前降低或完全消除。能量污染监测的细节已在还未定案的美国临时专利案第 60/544,029号中详细说明，且本文亦并入参考该案。配置在离子注入器的终端站(end station...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种离子束测量装置，包括光圈，用来接收离子束；负偏压电极，配置在所述光圈旁；正偏压电极，配置在所述负偏压电极旁；选择偏压电极，配置在所述正偏压电极旁；以及收集器，其中，所述选择偏压电极可选择性地为负偏压或正偏压。2. 如权利要求1所述的离子束测量装置，其特征在于，当所述选择偏压电 极为负偏压时，所述离子束测量装置会测量所述离子束中的电流。3. 如权利要求2所述的离子束测量装置，其特征在于，所述负偏压电极会 实质地将多个低能量电子排除在所述离子束测量装置之外。4. 如权利要求2所述的离子束测量装置，其特征在于，所述正偏压电极会 实质地将多个低能量离子排除在所述离子束测量装置之外。5. 如权利要求2所述的离子束测量装置，其特征在于，多个高能量离子会 撞击所述收集器。6. 如权利要求2所述的离子束测量装置，其特征在于，所述选择偏压电极 会实质地抑制从所述收集器所射出的多个低能量电子，而所述低能量电子保留 在所述收集器中。7. 如权利要求1所述的离子束测量装置，其特征在于，当所述选择偏压电 极为正偏压时，所述离子束测量装置会测量在所述离子束中的能量污染程度。8. 如权利要求7所述的离子束测量装置，其特征在于，所述正偏压电极及 所述选择偏压电极的至少其中之一会实质地避免多个减速正离子接近所述收 集器。9. 如权利要求7所述的离子束测量装置，其特征在于，多个高能量中性粒 子会撞击所述收集器。10. 如权利要求7所述的离子束测量装置，其特征在于，所述正偏压电极及 所述选择偏压电极的至少其中之一会收集从所述收集器所释放的多个电子。11. 如权利要求1所述的离子束测量装置，其特征在于，当所述选择偏压电 极为负偏压时，所述离子束测量装置会测量在所述离子束中的电流，而且当所 述选择偏压电极为正偏压时，所述离子束测量装置会测量在所述离子束中的能 量污染程度。12. —种离子束的测量方法，可选择性地测量在离子束中的电流及能量污染 程...
【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼·雷诺，艾立克·赫尔曼森，约瑟·C·欧尔森，葛登·恩吉尔，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：
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