【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种场发射元件，尤其涉及一种三极型场发射像素管。
技术介绍
场发射电子源以及利用该电子源发出的电子轰击荧光物质 而发光的场发射发光技术已经在场发射平面显示器领域中得到 应用。这种场发射技术是在真空环境下，利用外加电场作用将 电子源尖端的电子激发出来。在传统场发射电子源中， 一般采 用微细钼金属尖端、硅尖端作为电子发射端，随着纳米技术的 发展，最近还采用纳米碳管作为电子发射端。理论上，由于碳纳米管具有非常小的直径，很大的长径比， 因此在外电场作用下其具有很大的场增强因子。但是，在实际 应用中，例如平面型场发射显示器中，碳纳米管平面薄膜的整 体宏观场发射增强因子并未能达到单个碳纳米管的数值，导致 发射电压较高，场发射电流密度小，发光亮度较低。有鉴于此，提供一种发射电流密度大，发光亮度高的场发 射元件实为必要。
技术实现思路
以下将以实施例说明 一 种三极型场发射像素管。一种三极型场发射像素管，其包括 一个中空壳体， 一个 焚光物质层， 一 个阳极层， 一 个阴极发射体和 一 个栅极体。该 壳体具有一个出光部，该焚光物质层和阳极层依次形成在该出 光部的内壁上...
【技术保护点】
一种三极型场发射像素管，其包括：一个中空壳体，一个荧光物质层，一个阳极层，一个阴极发射体和一个栅极体，该壳体具有一个出光部，该荧光物质层和阳极层依次形成在该出光部的内壁上，该阴极发射体设置在中空壳体内部与出光部相对的位置，该栅极体位于中空壳体内并靠近阴极发射体设置，其特征在于，该阴极发射体包括一个碳纳米管线，该碳纳米管线作为电子发射源。
【技术特征摘要】
1.一种三极型场发射像素管，其包括一个中空壳体，一个荧光物质层，一个阳极层，一个阴极发射体和一个栅极体，该壳体具有一个出光部，该荧光物质层和阳极层依次形成在该出光部的内壁上，该阴极发射体设置在中空壳体内部与出光部相对的位置，该栅极体位于中空壳体内并靠近阴极发射体设置，其特征在于，该阴极发射体包括一个碳纳米管线，该碳纳米管线作为电子发射源。2. 如权利要求1所述的三极型场发射像素管，其特征在于，该 中空壳体内部是真空密封的。3. 如权利要求1所述的三极型场发射像素管，其特征在于，该 栅极体是一个中空柱体，该中空柱体具有一顶面及至少一个 从顶面延伸出的侧面，该阴极发射体位于栅极体内，且该中 空柱体的底面具有一个开口，该开口正对于阴极发射体的碳 纳米管线。4. 如权利要求3所述的三极型场发射像素管，其特征在于，该 栅极体的横截面为圓形，椭圆形或多边形...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨远超，魏洋，刘亮，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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