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场发射像素管制造技术

技术编号:3149877 阅读:261 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种场发射像素管。该场发射像素管包括:一个中空壳体,该中空壳体具有一出光部,该出光部的内壁依次设有一荧光层和一阳极层,所述中空壳体内部是真空密封的,该中空壳体内有一个金属筒,该金属筒内壁设有一层经固化的浆料层,该浆料层含有导电的纳米材料,该金属筒与至少一个阴极电极电连接。该场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作用,可以有效的减弱碳纳米管表面的电场,使得碳纳米管可以在10千伏或更高的电压下稳定的工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场发射元件,尤其涉及一种场发射像素管
技术介绍
场发射电子源以及利用该电子源轰击焚光物质而发光的场发射发光技术 已经在场发射平面显示器等领域得到应用。这种场发射技术是在真空环境下, 利用外加电场作用将尖端的电子激发出来,电子轰击荧光粉发出可见光从而 进行显示。在传统场发射电子源中, 一般采用微细钼金属尖端或矽尖端作为 电子发射端,随着纳米技术的发展,最近还采用纳米碳管作为电子发射端。为了有效的利用荧光粉的发光效率,像素管一般工作在IO千伏左右的高 压下,然而碳纳米管在强电压下很容易损坏,导致发射不稳定。
技术实现思路
有鉴于此,提供一种可以在高压下稳定工作的场发射元件实为必要。一种场发射像素管,其包括 一个中空壳体,该中空壳体具有一出光部, 该出光部的内壁依次设有一荧光层和一阳极层,所述中空壳体内部是真空密 封的,该中空壳体内有一个金属筒,该金属筒内壁设有一层经固化的浆料层, 该浆料层含有导电的纳米材料,该金属筒与至少一个阴极电极电连接。相对于现有技术,所述场发射像素管的金属筒对电场有很强的屏蔽作 用,将含有碳纳米管的浆料涂于金属筒的内壁作为阴极,可有效的减弱碳纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场发射像素管,其包括:一个中空壳体,该中空壳体具有一出光部,该出光部的内壁依次设有一荧光层和一阳极层,所述中空壳体内部是真空密封的,其特征在于:该中空壳体内有一个金属筒,该金属筒内壁设有一层经固化的浆料层,该浆料层含有导电的纳米 材料,该金属筒与至少一个阴极电极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种场发射像素管,其包括一个中空壳体,该中空壳体具有一出光部,该出光部的内壁依次设有一荧光层和一阳极层,所述中空壳体内部是真空密封的,其特征在于该中空壳体内有一个金属筒,该金属筒内壁设有一层经固化的浆料层,该浆料层含有导电的纳米材料,该金属筒与至少一个阴极电极电连接。2. 如权利要求1所述的场发射像素管,其特征在于,该中空壳体为中空圓柱体。3. 如权利要求1所述的场发射像素管,其特征在于,该中空壳体为玻璃或石 英玻璃。4. 如权利要求1所述的场发射像素管,其特征在于,该阳极层为铝膜。5. 如权利要求1所述的场发射像素管,其特征在于,进一步包括一个阳极电...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨远超唐洁刘亮范守善
申请(专利权)人:清华大学鸿富锦精密工业深圳有限公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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