倾斜等离子掺杂制造技术

等离子掺杂装置包括反应室以及等离子源，等离子源在反应室中自掺杂剂气体产生离子。格栅定位于反应室中。用于支撑目标的压板定位于反应室中。格栅以及目标中至少一者经定向以使得自格栅提取的掺杂剂离子以非垂直入射角冲击目标。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】倾斜等离子掺杂
本文所用的部分标题仅用于组织目的且不应理解为限制本申请案所描述 的主题。
技术介绍
现有光束线离子植入器使用电场来加速离子。根据经加速的离子的荷质比(mass-to-charge ratio)将其过滤以选择所要的离子以便植入。等离子掺杂 (plasma doping) 或浸入式等离子离子植入 (PIII， plasma immersion ion impantation)将目标浸入含有掺杂剂离子(d叩antion)的等离子中并用一系列 负电压脉冲使目标偏压。目标上的负偏压排斥来自目标表面的电子借此形成正 离子的外鞘。正离子的外鞘在外鞘边界与目标表面之间形成电场。电场使离子 加速朝向目标借此将离子植入目标表面。附图说明借由结合所附图式参考下文的描述可更好地理解本专利技术的目的，其中在各 图中相同数字表示相同结构元件以及特征。图式无需按照比例绘制。熟习此项 技术者应了解下文所描述的图式仅用于说明的目的。并不希望图式以任何方式 限制本教示的范畴。图1说明根据本专利技术的具有倾斜格栅的等离子掺杂装置的一个实施例。 图2说明根据本专利技术的具有倾斜压板的等离子掺杂装置。 图3说本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子处理装置，包含：反应室；等离子源，在所述反应室中自进料气体产生离子；格栅，定位于所述反应室中；以及压板，用于支撑定位于所述反应室中的工件，所述格栅经定向以使得经由所述格栅提取的所述离子以非垂直入射角冲击所述工件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-4-25 10/908,0091.一种等离子处理装置，包含反应室；等离子源，在所述反应室中自进料气体产生离子；格栅，定位于所述反应室中；以及压板，用于支撑定位于所述反应室中的工件，所述格栅经定向以使得经由所述格栅提取的所述离子以非垂直入射角冲击所述工件。2. 如权利要求1所述的等离子处理装置，还包含具有电连接至所述格栅以 及所述工件的至少一者的输出的电源，所述电源使所述格栅以及所述工件的至 少一者偏压，以使得所述等离子中的所述离子经由所述格栅提取并以所述非垂 直入射角冲击所述工件。3. —种等离子掺杂装置，包含 反应室；等离子源，在所述反应室中自掺杂剂气体产生离子； 格栅，定位于所述反应室中；以及压板，用于支撑定位于所述反应室中的目标，所述格栅以及所述目标的至 少一者经定向以使得自所述格栅提取的掺杂剂离子以非垂直入射角冲击所述 目标。4. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，其中所述等离子源包含电感耦合 等离子源、电容耦合等离子源、环形等离子源、螺旋形等离子源、直流等离子 源、远端等离子源以及下游等离子源的至少一者。5. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，其中所述格栅形成为锯齿形状。6. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，其中所述格栅界定传递所述离子的孔、槽以及筛网的至少一者。7. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，其中所述格栅的面积大于或等于所述目标的面积。8. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，其中所述格栅与所述目标处于相 同电位。9. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，其中所述格栅由非金属材料以及 用非金属材料涂覆的金属材料的至少一者形成。10. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，其还包含具有电连接至所述格栅 以及所述目标的至少一者的输出的电源，所述电源使所述格栅以及所述目标的 至少一者偏压，以使得所述等离子中的掺杂剂离子自所述格栅提取并以所述非 垂直入射角冲击所述目标。11. 如权利要求IO所述的等离子掺杂装置，其中所述电源包含直流电源、 脉冲电源以及射频电源的至少一者。12. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，还包含定位于距所述栅格最近处 的电极，所述电极处于与所述格栅实质上相同的电位，以使得所述电极吸收由 所述目标产生的至少一部分电子。13. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，还包含耦接至所述目标的平移 台，所述平移台在至少一个方向上扫描所述格栅以及所述目标的至少一者。14. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，还包含机械耦接至所述格栅以及 所述目标的至少一者的至少一个振荡器，所述至少一个振荡器使所述格栅以及 所述目标的至少一者相对于所述格栅以及所述目标的另一者抖动。15. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，还包含耦接至所述格栅以及所述 目标的至少一者的至少一个旋转台，所述至少一个旋转台使所述格栅以及所述 目标的至少一者相对于所述格栅以及所述目标的另一者旋转。16. 如权利要求3所述的等离子掺杂装置，还包含邻近所述格栅而定位的第 二格栅。17. —种倾斜等离子掺杂的方法，包含在反应室中自掺杂剂气体产生等离子，所述等离子含有掺杂剂离子；以及 定向目标以及格栅的至少一者，以使得自所述格栅提取的所述掺杂剂离子 以非垂直入射角冲击所述目标。18. 如权利要求17所述的倾斜等离子掺杂的方法，其中所述非垂直入射角 经选择以达成所述目标中的掺杂剂离子的预定横向分散。19. 如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：维克拉姆辛区，詹姆士S贝福，拉杰许都蕾，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：US[]