【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本装置及方法大体而言是关于提供等离子体掺杂(plasma doping, PLAD) 应用中的轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度(junction depth)要求。的更确切地说，所述的装置及方法是针对提供对元件縮放关键的垂直方向及横向上 的陡结。
技术介绍
等离子体掺杂系统是已知的且用于在半导体晶圆中形成浅结且用于要求 具有相对低能量离子的高电流的其他应用。在等离子体掺杂系统中，半导体晶 圆置放在导电平台上，导电平台充当阴极且定位于等离子体掺杂反应室中。将 可离子化的掺杂气体引入反应室中，且将电压脉冲施加于平台与阳极或腔壁之 间，从而导致含掺杂剂气体的离子的等离子体的形成。等离子体在晶圆的附近 具有等离子体鞘。所施加脉冲使等离子体中的离子加速穿过等离子体鞘且植入 品圆。植入的深度与晶圆与阳极之间所施加的电压相关。可达成-1夂常f氐的植入 能量。这些等离子体掺杂系统的实例在颁予Sheng的美国专利第5,354,381号、 颁予Liebert等人的美国专利第6，020，592号以及颁予Goeckner的美国专利第 6,182,604号中加以描述。在上述等离子体掺杂...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于工件的等离子体植入的方法，包含引入掺杂剂气体至等离子体掺杂反应室中以形成含所述掺杂剂气体的离子的等离子体，所述等离子体在所述工件的表面处或接近所述工件的表面处具有等离子体鞘；以及斜线上升植入偏压以加快所述掺杂剂气体的离子穿过所述等离子体鞘朝向所述工件且植入所述掺杂剂气体的离子至所述工件中，其中所述植入偏压的斜线上升将掺杂剂气体的离子的保留剂量及近表面浓度最大化至所述工件。2. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所述植入偏压的歩骤包含线性斜线上升。3. 如权利耍求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的步骤包含非线性斜线上升。4. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的步骤包含调整斜线上升的速率。5. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的步骤还包含与其组合的斜线上升工作周期的步骤。6. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的步骤还包含与其组合的改变至少一个植入制程参数的步骤。7. 如权利要求6所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中所述至少--个植入制程参数包含压力、气体流量、气体成份、射频电源及温度参数。8. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的速率匹配中性粒子及所述掺杂剂气体的离子的沉积速率。9. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的速率快于中性粒子及所述掺杂剂气体的离子的沉积速率。10. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的速率慢于中性粒子及所述掺杂剂气体的离子的沉积速率。11. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，其中斜线上升所 述植入偏压的步骤包含反向斜线上升。12. 如权利要求1所述的用于工件的等离子体植入的方法，还包含在引入所 述掺杂剂气体的离子的步骤之前的中性粒子及掾...
【专利技术属性】
技术研发人员：方子韦，理查·艾波，文森特·丹龙，维克拉姆·辛区，哈勒德·M·波辛，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：
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