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一种用于工件的等离子体植入的方法，包含：　　　　引入掺杂剂气体至等离子体掺杂反应室中以形成含所述掺杂剂气体的离子的等离子体，所述等离子体在所述工件的表面处或接近所述工件的表面处具有等离子体鞘；以及　　　　斜线上升植入偏压以加快所述掺杂剂气体...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有，仅供学习研究参考，未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。

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