处理气流的方法技术

本发明专利技术描述了一种用于处理来自多晶硅蚀刻过程的废气的方法，该方法采用等离子消除装置用以处理气体。该装置包括具有用于接收气体的气体入口以及气体出口的不锈钢气室。由于气体可包含卤代化合物和水蒸气，故气室被加热至抑制在气室内的表面上吸收水的温度，由此抑制气室的腐蚀。然后气体被传向气室以便处理，而气室温度维持在处理气体时的所述温度以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种使用等离子消除装置(plasma abatement device)处 理气流的方法。本专利技术尤其适于处理从多晶硅蚀刻过程中排出的气流。在半异体或平板显示装^的形成浙间,向各种处理室供给各种不 同的处理气体。化学气相沉积(CVD)被用来在位于沉积室内的基片 或晶片的表面上沉积薄膜或层。在促使在表面处发生化学反应的条件 下，该处理通过通常使用运载气体向沉积室供给一种或多种反应气体 而对基片的表面产生作用。例如，可向沉积室供给TEOS (四乙基原 硅酸盐)以及氧气和臭氧中的一种以便在基片上形成二氧化硅层，并 且可供给硅烷和氨以便形成氮化硅层。多晶硅通过硅烷或氯硅烷因加 热产生的分解而沉积在基片上。气体也向蚀刻室供给以便对沉积层的区域实施选择性地蚀刻，例 如在形成电极、半导体装置的源极区和漏极区的期间。蚀刻气体可包 括诸如CF4 (四氟化碳)、CHF3 (三氟甲烷)和NF3 (三氟化氮)的 全氟化合物，诸如HC1 (氯化氢)、HBr (溴化氬)、BC13 (三氯化 硼)和Br2 (溴气)的其它卣代化合物(halocompound)以及其组合。例 如，CF4通常用来在氮化层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理包含变化的量的卤代化合物以及水蒸气的气体的方法，所述方法包括步骤：提供等离子消除装置，所述等离子消除装置包括具有用于接收所述气体的气体入口以及气体出口的气室，将所述气室加热至抑制在所述气室内的不锈钢表面上吸收水的温度，向所述气室传送所述气体以便在所述气室内对其处理，以及将所述气室维持在或高于处理所述气体期间的所述温度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】GB 2005-8-15 0516695.4;GB 2005-10-27 0521961.31.一种处理包含变化的量的卤代化合物以及水蒸气的气体的方法，所述方法包括步骤提供等离子消除装置，所述等离子消除装置包括具有用于接收所述气体的气体入口以及气体出口的气室，将所述气室加热至抑制在所述气室内的不锈钢表面上吸收水的温度，向所述气室传送所述气体以便在所述气室内对其处理，以及将所述气室维持在或高于处理所述气体期间的所述温度。2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在向所述气室传 送所述气体之前，所述气室至少加热至120摄氏度。3. 根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于，所 述气室在处理所述气体期间维4争在120摄氏度至350摄氏度的范围 内。4. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述气室在处理 所述气体期间维持在120摄氏度至180摄氏度的范围内。5. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，通过 经由室的温度控制回路流动传热流体以便控制所述气室的温度和控 制所述流体的温度，从而将所迷气室维持在所述温度以上。6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述室的温度控 制回路部分地位于所述气室的壁内。7. 根据权利要求5或权利要求6所述的方法，其特征在于，所 述室的温度控制回路在所述气体出口附近延伸。8. 根据权利要求5至权利要求7中任一项所述的方法，其特征 在于，通过经由热交换机构流动所述流体和控制所述热交换机构以便 控制所述流体的温度，从而控制了所述流体的所述温度。9. 根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述传热流体经 由第一热交换器和第二热交换器中的至少一个进行传送，所述第 一热 交换器选择性地将所述流体冷却至第一流体温度，而所述第二热交换器选择性地将所迷流体加热至高于所述第 一流体温度的第二流体温 度。10. 根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述笫一流体温 度低于120摄氏度，而第二温度至少为120摄氏度。11. 根据权利要求5至权利要求10中任一项所述的方法，其特 征在于，所述传热流体包括透热性的流体。12. 根据权利要求5至权利要求11中任一项所述的方法，其特 征在于，在所述气体被供向所迷气室之前通过所述传热流体将所述气 室加热至所述温度。13. 根据上述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所述 等离子消除装置包括微波等离子消除装置。14. 根据上述权利要求中^(壬一项所述的方法，其特征在于，所述 气体在大气压力或其附近进行处理。...

【专利技术属性】
技术研发人员：JR史密斯，AJ西利，DM巴克，
申请(专利权)人：爱德华兹有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]