脉冲等离子体式离子注入机制造技术

本发明专利技术涉及离子注入机ＩＭＰ，包括脉冲等离子体源ＳＰＬ、衬底支承台ＰＰＳ和所述台的电源ＡＬＴ。所述注入机还包括电容Ｃ，所述电容直接接地Ｅ且安装于所述台电源ＡＬＴ的上游。本发明专利技术还涉及使用所述注入机的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及脉冲等离子体式离子注入机。本专利技术的领域是以等离子体浸没方式工作的离子注入机。因此，衬底的离子注入包括将所述衬底浸没于等离子体中，并使衬底极化而带上负电压，从几十伏到几十千伏不等(一般低于100千伏)，以形成一电场，所述电场能够朝所述衬底方向加速所述等离子体中的离子。所述离子的穿透深度由其加速能量确定。所述穿透深度一方面取决于施加在所述衬底上的电压，另一方面取决于所述离子和所述衬底各自的特性。注入的离子浓度取决于剂量和所述注入深度，所述剂量表示为每平方厘米的离子数。基于等离子体物理学方面的原因，施加所述电压几个纳秒后，在所述衬底周围生成了离子云(gaine ionique，离子鞘，离子壳层)。负责将所述离子朝所述衬底方向加速电势差存在于所述离子云的边缘。所述离子云随时间的增加遵循下述Child-Langmuir方程jc=49ϵ0(2eM)1/2V03/2S2]]>这里，jc电流密度∈0真空介电常数e离子电量M离子质量V0穿过离子云的势差S离子云的厚度通过规定所述电流密度等于单位时间穿过所述电子云边界的电量，并用ds/dt代表所述边界的移本文档来自技高网...

【技术保护点】
离子注入机ＩＭＰ，包括脉冲等离子体源ＳＰＬ、衬底支承台ＰＰＳ和电源ＡＬＴｉ、ＡＬＴｊ，所述电源直接接于所述衬底支承台和大地Ｅ之间，其特征在于，其包括连接于大地Ｅ和所述衬底支承台ＰＰＳ之间的电容Ｃ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】FR 2004-6-16 04064961.离子注入机IMP，包括脉冲等离子体源SPL、衬底支承台PPS和电源ALTi、ALTj，所述电源直接接于所述衬底支承台和大地E之间，其特征在于，其包括连接于大地E和所述衬底支承台PPS之间的电容C。2.按照权利要求1所述的注入机IMP，其特征在于，所述电源ALTi包括与负载阻抗Z串联的直流电压源STC。3.按照权利要求2所述的注入机IMP，其特征在于，其包括使所述脉冲等离子体源SPL发出的等离子体脉冲宽度介于15微秒和500微秒之间的装置。4.按照权利要求2或3中的任意一条所述的注入机IMP，其特征在于，所述负载阻抗为介于100和1000千欧之间的电阻。5.按照前述权利要求2到4中的任意一条所述的注入机IMP，其特征在于，所述电容C大小介于5纳法和5微法之间。6.使用按照权利要求2到5中的任意一条所述的注入机IMP的注入方法，其特征在于周期性地重复至少下面4个阶段◆所述电压源STC对所述电容C充电，直到达到放电电压的充电阶段，◆所述等离子体的开启阶段；◆所述电容C的放电阶段，和◆预定延迟后，所述等离子体的熄灭阶段。7.按照权利要求1所述的注入机IMP，其特征在于，所述台电源ALTj为直流电流源SCC。8.按照权利要求7所述的注入机IMP，其特征在于，其包括使所述脉冲等离子体源SPL发出的等离子体脉冲宽度介于15微秒和500微秒之间。9.按照权利要求7或8的任意一条所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：弗兰克托瑞格罗萨，吉勒斯马修，劳兰特洛克斯，
申请(专利权)人：离子射线服务公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]