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可擦除的离子注入的光耦合器制造技术

技术编号:8244040 阅读:184 留言:0更新日期:2013-01-25 02:55
描述了可擦除的离子注入的光耦合器。在一个示例中,一种方法包括:将离子注入衬底,以在光器件的波导中形成光栅,该光栅将光信号耦合进出该波导并通过光栅;以及在通过波导耦合光信号之后,对衬底退火以去除光栅。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】可擦除的离子注入的光耦合器领域本公开涉及光电路制造领域,具体涉及可擦除的输入和输出耦合器在光学组件和电路中的应用。
技术介绍
集成光子产品包括滤波器、分插复用器、反射器以及用于光通信、光互连以及光感测的许多其它光学和光子器件。集成器件可构建为多层,其中下层器件首先构建,且更多器件被构建下层器件上方。在微电子学中,在更多器件被层叠上去之前,可对下层上的器件进行测试。许多微电子设计包括接触垫,以允许测试探头与部分完工的晶片进行电连接。如果电路未良好工作,则对其进行修复或将其丢弃。这避免了构建更高层却在稍后发现电路有缺陷的浪费。 在光器件中,通常使用光栅来代替电气接触垫,以将光耦合进入和耦合出光电路。尽管当前不存在用于集成光子器件的标准制造和测试技术,但经蚀刻的光栅耦合器通常被用于测试原型光子器件。尽管能有效地使用经蚀刻的光栅将光耦合到光子器件中以用于测试和表征目的,但一经制造,它们就永久地被植入光电路中。典型地,中间光栅耦合器将在任一侧断开光学路径,或降低光在光电路中传播的效率。由于光栅是对晶片表面的变更,必须在器件测试之后将光栅从晶片物理地去除,或必须重新确定光学路径以避开测试光栅。这限制了本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:G·T·里德R·罗亚考诺
申请(专利权)人:英特尔公司
类型:
国别省市:

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