【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有穿模的第一级互连的3D集成电路封装件
本专利技术的实施例在封装件领域中,并且特别是具有穿模(through-mold)的第一级互连的3D集成电路封装件和形成这样的封装件的方法。
技术介绍
当前的消费者电子设备市场频繁地需求要求非常错综复杂的电路的复杂功能。缩放到越来越小的基本构建块(例如,晶体管)已经允许单个管芯上更错综复杂的电路的合成(利用每个进步的一代)。半导体封装件用于保护集成电路(IC)芯片或管芯,并且也向管芯提供到外部电路的电接口。随着更小的电子装置的需求的增加,半导体封装件被设计得更紧凑并且必须支持更大的电路密度。此外,更高性能装置的需求引起改进的半导体封装件的需要(它允许与后续组件处理兼容的薄封装外形和低的整体翘曲)。数年来,C4焊料球连接已经用于提供半导体装置与衬底之间的倒装芯片互连。倒装芯片或受控崩塌芯片连接(Controlled Collapse Chip Connection, C4)是用于半导体装置(例如,集成电路(IC)芯片、MEMS或部件)的一种安装,它利用焊料凸起(bump)而不是导线接合。焊料凸起沉积在C4焊盘上,位于衬底封装件的顶部一侧。为了将半导体装置安装到衬底,将半导体装置倒装过来(在安装区域上活动侧朝下)。焊料凸起用于将半导体装置直接连接到衬底。然而,此方式可能受限于安装区域的大小并且可能不容易适应层叠型管芯。因此,半球状的C4焊料凸起形成于绝缘层上和连接器焊盘(也被称为凸起焊盘)暴露的表面上,其中每个都是通过绝缘层或多个绝缘层中的通孔而暴露。然后,焊料凸起被加热到高于它们的熔点直到它们回流并且与管芯的铜 ...
【技术保护点】
一种半导体封装件,包括:衬底;底部半导体管芯,具有活动侧,该活动侧具有表面区域,所述底部半导体管芯利用远离所述衬底的活动侧而耦合到所述衬底;以及顶部半导体管芯,具有活动侧,该活动侧具有大于所述底部半导体管芯的表面区域的表面区域,所述顶部半导体管芯利用接近所述衬底的活动侧而耦合到所述衬底,其中所述底部半导体管芯的活动侧面对并且传导地耦合到所述顶部半导体管芯的活动侧,并且其中所述顶部半导体管芯通过绕过所述底部半导体管芯的第一级互连而传导地耦合到所述衬底。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体封装件,包括: 衬底; 底部半导体管芯,具有活动侧,该活动侧具有表面区域,所述底部半导体管芯利用远离所述衬底的活动侧而耦合到所述衬底;以及顶部半导体管芯,具有活动侧,该活动侧具有大于所述底部半导体管芯的表面区域的表面区域,所述顶部半 导体管芯利用接近所述衬底的活动侧而耦合到所述衬底,其中所述底部半导体管芯的活动侧面对并且传导地耦合到所述顶部半导体管芯的活动侧,并且其中所述顶部半导体管芯通过绕过所述底部半导体管芯的第一级互连而传导地耦合到所述衬。2.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述顶部半导体管芯通过从所述顶部半导体管芯的活动侧延伸出来并且邻近于所述底部半导体管芯的多个凸起而传导地耦合到所述衬底,所述多个凸起耦合到所述第一级互连。3.如权利要求2所述的半导体封装件,其中所述底部半导体管芯和所述多个凸起容纳在模塑层中。4.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述顶部半导体管芯通过从所述顶部半导体管芯的活动侧延伸出来并且至少部分地邻近于所述底部半导体管芯和多个焊料球的多个凸起而传导地耦合到所述衬底,所述多个焊料球耦合到所述第一级互连。5.如权利要求4所述的半导体封装件,其中所述底部半导体管芯、所述多个凸起和所述多个焊料球容纳在模塑层中。6.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述顶部半导体管芯通过从所述顶部半导体管芯的活动侧延伸出来但不邻近于所述底部半导体管芯和多个焊料球的多个凸起而传导地耦合到所述衬底,所述多个焊料球耦合到所述第一级互连。7.如权利要求6所述的半导体封装件,其中所述底部半导体管芯、所述多个凸起和所述多个焊料球容纳在模塑层中。8.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述顶部半导体管芯通过从所述顶部半导体管芯的活动侧延伸出来并且邻近于所述底部半导体管芯的多个凸起柱而传导地耦合到所述衬底,所述多个凸起柱包括中间焊料球,并且所述多个凸起柱耦合到所述第一级互连。9.如权利要求8所述的半导体封装件,其中所述底部半导体管芯和所述多个凸起柱容纳在模塑层中。10.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述顶部半导体管芯和所述底部半导体管芯通过底部填充材料层而另外耦合到所述衬底。11.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述顶部半导体管芯配置为将电力提供到所述底部半导体管芯。12.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述顶部半导体管芯配置为促进所述底部半导体管芯与所述衬底之间的通信。13.如权利要求1所述的半导体封装件,其中所述底部半导体管芯不包括穿硅通孔(TSV)014.一种制作半导...
【专利技术属性】
技术研发人员:D马利克,RL桑克曼,
申请(专利权)人:英特尔公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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