一种实现模拟集成电路相对精度模型的方法技术

本发明专利技术公开了一种实现模拟集成电路相对精度模型的方法，它包括如下步骤：（１）建立反映工艺状态的普通ＳＰＩＣＥ器件模型；（２）测试反映该工艺相对精度的实验数据，并总结ΔＶｔ的标准偏差、ΔＩｏｎ的标准偏差与器件尺寸的关系；（３）在普通ＳＰＩＣＥ器件模型的基础上，对其中的ＶＴＨＯ、ＴＯＸ、ＵＯ、ＶＳＡＴ参数进行修正，建立对应的相对精度模型；（４）最后将相对精度模型与普通ＳＰＩＣＥ模型综合到一个模型文件中。本发明专利技术可简化模型使用的便利性，提高集成电路设计者的工作效率与准确性。适用于集成电路的设计，进行电路模拟。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及实现模拟集成电路仿真模型的方法，特别是涉及。
技术介绍
与数字IC(integrated circuit集成电路)不同，在模拟集成电路设计中，器件之间的相对精度(Mismatch)具有非常重要的影响，如产品合格率的提高，设计生产周期的缩短等等。但是，在任何半导体工艺中，由生产系统的变化导致的相对精度都是客观存在的、不可能消除的。因此，模拟集成电路设计中对相对精度进行仿真就变得特别有必要。目前，器件模型中有关相对精度仿真的部分还没有公认的统一的标准，更没有可让集成电路设计者方便使用的SPICE(集成电路增强模拟程序)模型。目前各半导体制造企业在相对精度方面普遍使用的是如图1所示的图片或表格式的数据。对于设计者而言，这种格式的数据在使用上是极其不方便的，只能对相对精度进行大概估计，没有可直接仿真的模型。而要将这些实验数据估算到设计的电路中做仿真，需要对网表进行特别的改动，这只有很有经验的设计者才有此能力。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供，它可直接提取出对应于半导体器件在相对精度方面的模型，并可与普通器件模型一样被电路设计仿真软件直接调用，简化模型使用的便利性本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种实现模拟集成电路相对精度模型的方法，其特征在于，它包括如下步骤：（１）建立反映工艺状态的普通ＳＰＩＣＥ器件模型，包括各Ｃｏｒｎｅｒ模型；（２）测试反映该工艺相对精度的实验数据，并总结ΔＶｔ的标准偏差、ΔＩｏｎ的标准偏差与器件尺寸的关系；（３）在普通ＳＰＩＣＥ器件模型的基础上，对其中的ＶＴＨＯ、ＴＯＸ、ＵＯ、ＶＳＡＴ参数按以下公式进行修正，建立对应的相对精度模型：ＶＴＨＯ＝ＶＴＨＯ’＋ＤＶＴＨＯＵＯ＝ＵＯ’＊（１＋ＤＵＯ）ＶＳＡＴ＝ＶＳＡＴ’＊（１＋ＤＶＳＡＴ）ＴＯＸ＝ＴＯＸ’＊（１＋ＤＴＯＸ）其中ＶＴＨＯ’、ＵＯ’、ＶＳＡＴ’、ＴＯＸ’是普通ＳＰＩＣＥ模型中所对应参数的值，ＤＶＴＨＯ、ＤＵ...

【技术特征摘要】
1.一种实现模拟集成电路相对精度模型的方法，其特征在于，它包括如下步骤(1)建立反映工艺状态的普通SPICE器件模型，包括各Corner模型；(2)测试反映该工艺相对精度的实验数据，并总结ΔVt的标准偏差、ΔIon的标准偏差与器件尺寸的关系；(3)在普通SPICE器件模型的基础上，对其中的VTHO、TOX、UO、VSAT参数按以下公式进行修正，建立对应的相对精度模型VTHO＝VTHO’+DVTHOUO＝UO’*(1+DUO)VSAT＝VSAT’*(1+DVSAT)TOX＝TOX’*(1+DTOX)其中VTHO’、UO’、VSAT’、TOX’是普通SPICE模型中所对应参数的值，DVTHO、DUO、DVSAT、DTOX是为模拟相对精度现象在对应参数基础上引入的偏差量，其分别按下式计算DVTHO＝A1/sqrt(Width*Length)+B1DUO＝A2*(Width*Length)+B2DVSAT＝A3/sqrt(W...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹小卫，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]