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描述了具有穿模的第一级互连的3D集成电路封装件以及形成这样的封装件的方法。例如，半导体封装件包含衬底。底部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有表面区域。底部半导体管芯利用远离衬底的活动侧而耦合到衬底。顶部半导体管芯具有活动侧，该活动侧具有大于...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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