【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例属于集成电路结构和加工的领域，并且具体地是具有均匀栅格金属栅极和沟槽接触切口的集成电路结构以及制作具有均匀栅格金属栅极和沟槽接触切口的集成电路结构的方法。
技术介绍
1、过去的几十年来，集成电路中特征的缩放已经成为持续增长的半导体工业背后的驱动力。缩放到越来越小的特征使得能够在半导体芯片的有限占用面积上增加功能单元的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上合并增加数量的存储器或逻辑装置，这有助于制作具有增加的容量的产品。然而，对越来越大的容量的追求并非没有问题。对每个装置性能进行优化的必要性变得越来越重要。
2、在集成电路装置的制造中，随着装置尺寸继续缩小，多栅极晶体管(例如，三栅极晶体管)已经变得更加普及。在常规工艺中，三栅极晶体管通常制作在体硅衬底或绝缘体上硅衬底上。在一些实例中，由于体硅衬底的成本较低，并且因为其能够实现较不复杂的三栅极制作工艺，因此优选体硅衬底。在另一方面中，当微电子装置尺寸缩放到10纳米(nm)节点以下时，保持迁移率的改进和短沟道控制在装置制作中提出了挑战。用于制作装置的纳米线提供了改进
【技术保护点】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述水平纳米线的竖直堆叠体的所述棱锥形轮廓的所述棱锥角大于所述电介质切口插塞结构的所述内凹轮廓的所述切口角。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述水平纳米线的竖直堆叠体的所述棱锥形轮廓的所述棱锥角与所述电介质切口插塞结构的所述内凹轮廓的所述切口角相同。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述水平纳米线的竖直堆叠体的所述棱锥形轮廓的所述棱锥角小于所述电介质切口插塞结构的所述内凹轮廓的所述切口角。
5.根据权利要求1、2、3或4所...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路结构，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述水平纳米线的竖直堆叠体的所述棱锥形轮廓的所述棱锥角大于所述电介质切口插塞结构的所述内凹轮廓的所述切口角。
3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述水平纳米线的竖直堆叠体的所述棱锥形轮廓的所述棱锥角与所述电介质切口插塞结构的所述内凹轮廓的所述切口角相同。
4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述水平纳米线的竖直堆叠体的所述棱锥形轮廓的所述棱锥角小于所述电介质切口插塞结构的所述内凹轮廓的所述切口角。
5.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，还包括：
6.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，还包括：
7.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，还包括：
8.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，还包括：
9.根据权利要求8所述的集成电路结构，还包括：
10.一种集成电路结构，包括：
11.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·S·拉夫里克，许劭铭，A·S·默西，M·J·科布林斯基，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：
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