电子器件及其制作方法、电子设备技术

本申请提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，能够利用键合的方式将二维材料与半导体工艺衔接。该电子器件包括第一结构和第二结构；第一结构和第二结构之间具有键合界面，且第一结构和第二结构在键合界面处形成有多个晶体管。第一结构中包括衬底和多个晶体管的沟道层；沟道层位于衬底朝向第二结构一侧的表面，且沟道层中包括二维材料。第二结构中包括多个晶体管的源金属电极、漏金属电极、栅极，且源金属电极、漏金属电极与沟道层在键合界面接触。通过将第一结构和第二结构键合，从而实现二维材料与半导体工艺的衔接，进而满足二维材料的大规模应用需求。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种电子器件及其制作方法、电子设备。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，场效应晶体管(field effect transistor，fet；可简称为晶体管)的尺寸也越来越小，对应的晶体管的沟道的厚度也需要缩小，以最大限度的减少短沟道效应。但是随着沟道厚度的减小(如厚度小于5nm)，硅基半导体的迁移率会显著降低，与此同时，晶体管的栅极对于沟道的调控能力也会随着器件尺寸的减小而变差。

2、相比之下，即使在极限尺寸下，二维材料场效应晶体管都可以保持非常优异的性能。然而，由于二维材料的特殊性，其在材料制备以及器件加工方面很难实现与传统半导体工艺兼容，目前业界还没有较好的解决方案，该问题已成为限制二维材料大规模应用的因素之一。

技术实现思路

1、本申请提供一种电子器件及其制作方法、电子设备，能够利用键合的方式将二维材料与半导体工艺衔接。

2、本申请提供一种电子器件，该电子器件包括第一结构和第二结构；第一结构和第二结构之间具有键合界面，且第一结构和第二结构在键合界本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子器件，其特征在于，包括第一结构和第二结构；

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的电子器件，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的电子器件，其特征在于，

6.根据权利要求1-4任一项所述的电子器件，其特征在于，

7.根据权利要求1-4任一项所述的电子器件，其特征在于，

8.一种电子器件的制作方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的电子器件的制作方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种电子器件，其特征在于，包括第一结构和第二结构；

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，

4.根据权利要求1-3任一项所述的电子器件，其特征在于，

5.根据权利要求1-4任一项所述的电子器件，其特征在于，

6.根据权利要求1-4任一项所述的电子器件，其特征在于，

7.根据权利要求1-4任一项所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵岩翀，白晓阳，董金文，朱继锋，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：