本发明提供了一种基于透明衬底的LED芯片及其制备方法，将所述外延叠层通过键合层键合形成于所述透明衬底的表面，且在所述外延叠层朝向所述键合层的一侧表面设有第一扩展电极层；所述第一电极沉积于贯穿所述外延叠层的电极贯穿孔，并与所述第一扩展电极...

本发明提供了一种紫外LED芯片及其制作方法，阱垒之间插入一层较薄的Al

本发明提供了一种集成式LED芯片模组及其制作、测试、切割方法，其LED阵列单元通过交叉沟槽隔离形成于所述基板表面；所述绝缘层覆盖所有所述LED阵列单元及沟槽，且所述绝缘层具有裸露各所述LED阵列单元表面的缺口；所述电极引线平铺于所述沟槽...

本发明提供了一种LED芯片的制作方法，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，提高LED芯片的...

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过在外延叠层表面设置电流阻挡层、电流传导复合层、ITO层及扩展电极；基于该技术方案，分别通过扩展电极作为与第一电极接触的反射电极、电流传导复合层作为通过ITO层与第二电极接触的反射电极层，使...

本申请实施例提供了一种应用于显示屏的LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括衬底、外延片、复合导电层、第一钝化层、P电极以及N电极，其中，复合导电层包括欧姆接触层和至少两层透明导电层，至少两层透明导电层的致密性沿预设方向逐渐降低，从而在...

本发明提供了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的子背面电极开孔并通过键合层与导电基板电连接，避免了水平电极结构中电极的遮光问题，进而保证了发光二极管芯片的有效发光面积较大；由于该高压...

本发明提供了一种微型发光元件及其制备方法，通过第一绝缘保护层覆盖所述外延叠层并分别裸露所述台面和所述凹槽的部分表面；金属夹层层叠于所述第一绝缘保护层背离所述外延叠层的一侧表面，且具有至少一通孔，所述通孔位于所述台面的上方且远离所述台面的...

本实用新型提供了一种Mini LED芯片，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接...

本申请提供一种高压LED芯片结构，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽度，而过...

本发明提供了一种改善电流扩展层的LED芯片及制作方法，通过只对AlInGaN层进行掺杂，形成了一种间断掺杂的高晶体质量的电流扩展层，利用其间断掺杂的特征形成低阻和高阻交替的状态，进而增强横向电流扩展能力，使电流扩展更加均匀。并且，AlI...

本申请公开了一种PIPN结构的发光二极管及其制备方法，该发光二极管在有源层和N型结构层之间设置了一层P型插入层，P型插入层一方面可作为电子的阻挡层，降低电子传输效率。另一方面由于P型插入层的存在，使得发光二极管由原本的PIN结构变成PI...

本申请提供一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极...

本申请提供一种倒装薄膜LED芯片结构及其制备方法，所述制备方法包括：提供带有第一电极和第二电极的倒装LED芯片结构和具有第一导电层和第二导电层的导电衬底，其中，导电衬底的面积比倒装LED芯片的面积大，从而使第一电极与第一导电层对应电性连...

本申请实施例提供了一种紫外LED及其制作方法，该LED包括：衬底；缓冲层；电流扩展层；多量子阱有源层；超晶格电子阻挡层，其中，多量子阱有源层包括量子垒结构和量子阱结构，量子垒结构包括第一量子垒层、第二量子垒层和第三量子垒层，第二量子垒层...

本发明涉及一种倒装微型电子元件结构及其制作方法；倒装微型电子元件结构包括：键合衬底；键合层，位于键合衬底的表面；若干个间隔排布的芯片器件，位于键合层远离键合衬底的一侧，且与键合层之间具有空气间隙；芯片器件的第一表面为芯片器件远离空气间隙...

本发明提供了一种沟槽刻蚀及侧壁粗化方法和发光二极管，包括采用ICP刻蚀机及相应刻蚀气体，且通过开口对待刻蚀外延片进行刻蚀形成沟槽；采用ICP刻蚀机及相应物理溅射气体，对掩膜层背离待刻蚀外延片一侧的表面进行轰击，使部分掩膜层溅射粘附于沟槽...

本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括N型半导体层、有源层、P型半导体层，其中P型半导体层表面包括第一区域和第二区域；电流阻挡层；电流扩展层，其中，电流扩展层在P...

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，本发明提供的发光二极管包括有复合浅量子阱，提高大电流密度下空穴的注入效率。通过第一界面调制层减缓窄阱宽垒超晶格层和窄阱窄垒超晶格层的界面处的能带弯曲，及通过第二界面调制层减缓窄阱窄垒超晶格层和多量...

本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩...