本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法，该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔，利用复合掩膜结构在N型氮化镓...

本发明公开一种具有隐形扩展电极的大尺寸发光二极管，包括外延结构、第二电极、与金属扩展电极连接的焊台电极构成的第一电极，外延结构包括衬底、第二型导电层、有源层和第一型导电层；第二型导电层和第二电极电连接，第一型导电层上开设凹槽，凹槽的侧壁...

本实用新型公开了一种LED外延片和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通过应力调...

本申请实施例提供一种发光二极管芯片及发光二极管芯片的制造方法，该发光二极管芯片包括：芯片主体；设于芯片主体上的电极层；设于电极层上的钝化保护层；以及熔合保护层，熔合保护层位于电极层与钝化保护层之间，用于将钝化保护层与电极层进行隔离。以此...

本申请公开一种垂直型LED芯片结构及其制作方法，所述垂直型LED芯片结构，在LED外延结构上形成有至少贯穿发光层和第二半导体层的沟槽，所述沟槽将LED外延结构分割成多个子台面，对于正装制备结构而言，分离台面的沟槽可以直接增加LED芯片的...

本实用新型公开了一倒装发光芯片，其包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一粘结层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，所述第一绝缘层具有至少一第一通道...

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一侧表面形成第一半导体层；在第一半导体层背离衬底的一侧形成发光层；在发光层背离第一半导体层的一侧形成第二半导体层，第二半导体层与第一半导体层的掺杂类型不同；对第二半导体...

本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括第一氮化镓层、有源层、第二氮化镓层，第一氮化镓层与第二氮化镓层的掺杂类型不同；位于第二氮化镓层背离衬底一侧预设区域的电流阻挡...

本发明公开了一发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法，其中所述溅射方法包括如下步骤：光刻层叠于一底材的一光刻胶层，以使所述光刻胶层形成至少一溅射空间和环绕在所述溅射空间的四周的一防翘空间，其中所述防翘空间连通所述溅射空间；在溅射一成型材料...

本申请公开了一种具有改性区域的发光二极管及其制备方法，其中，所述具有改性区域的发光二极管的外延结构中处于最外侧的第一半导体层具有呈预设图案的改性区域，所述改性区域中的第一半导体层为绝缘膜层，且所述改性区域在所述衬底上的正投影与第一电极结...

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片的外延结构中具有贯穿P型氮化镓层和有源层的凹槽，该凹槽曝露N型氮化镓层部分表面，将外延结构分成位于凹槽两侧的第一外延结构和第二外延结构，第一P型电极位于透明导电层背离第一外延结...

本实用新型公开了一半导体器件，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述半导体器件还包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，所述N型电极在穿过所述钝化保护层后被连接于所...

本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N...

本实用新型公开了一LED发光芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的至少一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层的N型连接针通道后被电连接于所...

本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极提供至少一N型电极延伸触角，所述P型电极提供至少一P型电极延伸...

本实用新型公开了一发光芯片，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述...

本发明公开了一种LED外延片及其制作方法和半导体器件，在第一N型半导体层和第二N型半导体层之间嵌入有N型电子阻挡层，且N型电子阻挡层为N型AlInGaN/GaN层，由于N型AlInGaN/GaN层中AlInGaN和GaN晶格失配较小，通...

本发明公开了一种LED芯片，将第一类型半导体层的台面划分有第一键合区和第一扩展区，且将电流扩展层的表面划分有第二键合区和第二扩展区，在提高第一反射电极和第二反射电极分别在第一扩展区和第二扩展区处的光反射率而减小光吸收率的基础上，同时通过...

本发明公开了一种芯片选择性搬运方法，由于光敏胶层被曝光照射处的黏性降低，因此，通过第一光敏胶层和第二光敏胶层相应位置处进行曝光照射，使得第一光敏胶层对应第二图案区处为降黏区，及第二光敏胶层对应第一图案区处为降黏区，而后在分离第一基板和第...

本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和发光方法，其中所述倒装芯片包括至少一反射层、至少一N型电极、至少一P型电极至少一分布式布拉格反射单元以及一外延单元，其中所述外延单元包括一衬底、一N型层、一有源层以及一P型层，所述衬底、所...