本发明提供了一种发光二极管，包括覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔。可见，通过绝缘层覆盖电流扩展层、外延片的裸露面及环形区，提升绝缘层对外延片...

本发明提供了一种气体过滤器，包括滤灌，滤灌包括顶部的上盖、中间串联的多级滤筒和底部的集尘盒，各多级滤筒的气体通道相连通；各多级滤筒内部均设有一个过滤装置，过滤装置底部设有开口，过滤装置顶部密闭滤芯空心排气通道的顶部；进气口、过滤装置底部...

本发明提供了一种发光元件的制备方法及发光元件，通过对所述ITO层的表面疏水处理，形成疏水表面；所述疏水表面通过将所述ITO层表面的杂质与解离的氧离子结合后排出而形成；如此，可有效除去ITO层表面的杂质(如C和/或H等)，使得ITO层的表...

本发明提供了一种用于LED芯片表面的粗化方法及具粗化表面的LED芯片，本发明提供的用于LED芯片表面的粗化方法，通过将导电基板与外延结构键合后，利用腐蚀截止层作为DE刻蚀时的刻蚀截止，从而在沟槽内部ICP刻蚀气体截止，第一层胶充当粗化掩...

本发明提供了一种具有保护层LED芯片的制作方法，在每一层量子阱层生长完成后增加了空烤处理，目的是在高In材料生长结束后，通过空烤的方式来适当减少In过饱和状态下带来的In析出、界面粗糙以及高缺陷密度等问题，生长的GaN保护层可以对量子阱...

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：位于所述衬底上的P型金属电极和N型金属电极；所述P型金属电极包括第一电极层、第一金层、第一铝层以及第一合金层；所述N型金属电极包括第二电极层、第二金层、第二铝层以及第二合金...

本申请公开了一种复合导电薄膜的制备方法，该方法采用反应等离子沉积工艺制备第一欧姆接触层、第一功能层、电流传导层、第二功能层和第二欧姆接触层，避免了传统的真空蒸发和磁控溅射等工艺制备的薄膜的累积应力较大的问题，也避免了对基板造成损伤的情况...

本发明提供了一种石墨载盘装置，包括载盘架及石墨载盘，载盘架包括若干支撑杆及分别用于连接各支撑杆两端的两块固定座，各支撑杆设有若干个连接凹槽，支撑杆的连接凹槽能够分别与其他支撑杆的一个连接凹槽形成一组定位凹槽，各连接凹槽底部设有卡槽，同一...

本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为：包括沿生长方向In组分逐渐减少的Al

本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，通过至少在一势垒层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势垒层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒...

本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区、第二型半导体层，所述有源区包括n个沿第一方向依次层叠的量子层，各所述量子层包括势垒层和势阱层，且至少在一相邻的两个量子层之间设有...

本发明提供了一种大尺寸LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层背离所述衬底的一侧表面设置隧穿结与若干个电流扩展复合层，其中，所述电流扩展复合层层叠于所述隧穿结背离所述外延叠层的一侧表面，且各所述电流扩展复合层包括沿第一方向依次堆叠的第...

本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，...

本实用新型提供了一种具有改性层的LED芯片，不仅提高了芯片结构的粘附性，而且同时能作为透明导电层的硬掩膜，改善透明导电层材料蚀刻边缘不规则的缺陷，如此可提高芯片静电击穿可靠性。并且，该改性层的材料选用晶格大小介于透明导电层和绝缘保护层的...

本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩...

本发明提供了一种通孔填充式LED芯片及其制作方法，其所述外延叠层具有裸露所述第一型半导体层部分表面的通孔，所述通孔内设有填充结构；所述填充结构通过不同实施方式呈现。在保证接触的前提下，减少了由于开孔导致的表面高度差以及由此产生的空洞，进...

本发明提供了一种具有P型插入层的LED芯片及制作方法，通过在多量子阱结构和P型电子阻挡层之间生长一间断掺杂的P型插入层，从而通过调整极化电场，增强空穴迁移能力，达到增加空穴注入的目的；同时，P型插入层能增加电子有效势垒高度，减少电子泄漏...

本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，该方法包括：在衬底表面形成外延结构；在外延结构背离衬底一侧形成光刻胶掩膜层，光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，通孔在衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；以光刻胶掩膜层为掩膜，依次在通孔内形成金属反...

本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法，通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜，其中，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层；所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源区的一侧表面，并...

本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，通过在所述发光结构的表面构建纳米体系，且所述纳米体系的自由振动频率与所述发光结构的入射光光子频率相匹配，使所述发光结构的局域表面形成等离激元共振(LSPR)效应，进而提高发光二极管的亮度。并通过纳...