一种发光二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种发光二极管，包括覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔。可见，通过绝缘层覆盖电流扩展层、外延片的裸露面及环形区，提升绝缘层对外延片对电流扩展层的侧面及外延片的侧面的保护，有效隔离发光二极管的半导体材料与外界环境的水汽接触，保证发光二极管的可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管
本专利技术涉及半导体器件
，更为具体地说，涉及一种发光二极管。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)显示屏是由LED点阵和LEDPC面板组成，通过R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三种颜色的LED芯片的亮和灭来显示文字、图片、动画、视屏等，显示的内容可根据不同场合需要做出不同调节，其各部分组件都是模块化结构的显示器件。需要说明的是，应用于显示屏的LED芯片呈现低电流、常态反庄的工作状态，当根据其反向截止特性，通过给其施加反向电压，使其处于截止状态时，具有该LED芯片的显示屏显示黑色，处于不工作的显示状态。现有的发光二极管易被水汽侵蚀而影响其可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种发光二极管，有效地解决了现有技术存在的技术问题，保证发光二极管的可靠性高。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种发光二极管，包括：衬底；位于所述衬底表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的N型层、有源层和P型层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的N型层、有源层和P型层；所述外延片包括环形区和位于所述环形区内的台阶区，所述环形区处裸露所述衬底，且所述台阶区处裸露所述N型层；/n位于所述P型层背离所述衬底一侧的电流扩展层；/n覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔；/n位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的P电极和N电极，所述P电极通过所述第一通孔与所述P型层实现电接触，所述N电极通过所述第二通孔与所述N型层接触；/n覆盖所...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的N型层、有源层和P型层；所述外延片包括环形区和位于所述环形区内的台阶区，所述环形区处裸露所述衬底，且所述台阶区处裸露所述N型层；
位于所述P型层背离所述衬底一侧的电流扩展层；
覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔；
位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的P电极和N电极，所述P电极通过所述第一通孔与所述P型层实现电接触，所述N电极通过所述第二通孔与所述N型层接触；
覆盖所述绝缘层背离所述衬底一侧、所述P电极和所述N电极的裸露面的复合钝化层，所述复合钝化层包括裸露所述P电极的第一焊接通孔和裸露所述N电极的第二焊接通孔，所述复合钝化层包括第一钝化层及位于所述第一钝化层背离所述衬底一侧的第二钝化层。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延片在所述环形区的侧面与所述外延片的实体部覆盖所述衬底表面之间夹角为30-88度，包括端点值。


3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电流扩展层包括对应所述第一通孔的辅助通孔，所述P电极通过所述第一通孔和所述辅助过孔与...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，林锋杰，刘英策，张阿茵，邬新根，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35