一种发光二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种发光二极管，包括覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔。可见，通过绝缘层覆盖电流扩展层、外延片的裸露面及环形区，提升绝缘层对外延片对电流扩展层的侧面及外延片的侧面的保护，有效隔离发光二极管的半导体材料与外界环境的水汽接触，保证发光二极管的可靠性高。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管
本专利技术涉及半导体器件
，更为具体地说，涉及一种发光二极管。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode，发光二极管)显示屏是由LED点阵和LEDPC面板组成，通过R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)三种颜色的LED芯片的亮和灭来显示文字、图片、动画、视屏等，显示的内容可根据不同场合需要做出不同调节，其各部分组件都是模块化结构的显示器件。需要说明的是，应用于显示屏的LED芯片呈现低电流、常态反庄的工作状态，当根据其反向截止特性，通过给其施加反向电压，使其处于截止状态时，具有该LED芯片的显示屏显示黑色，处于不工作的显示状态。现有的发光二极管易被水汽侵蚀而影响其可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种发光二极管，有效地解决了现有技术存在的技术问题，保证发光二极管的可靠性高。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种发光二极管，包括：衬底；位于所述衬底表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的N型层、有源层和P型层；所述外延片包括环形区和位于所述环形区内的台阶区，所述环形区处裸露所述衬底，且所述台阶区处裸露所述N型层；位于所述P型层背离所述衬底一侧的电流扩展层；覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的P电极和N电极，所述P电极通过所述第一通孔与所述P型层实现电接触，所述N电极通过所述第二通孔与所述N型层接触；覆盖所述绝缘层背离所述衬底一侧、所述P电极和所述N电极的裸露面的复合钝化层，所述复合钝化层包括裸露所述P电极的第一焊接通孔和裸露所述N电极的第二焊接通孔，所述复合钝化层包括第一钝化层及位于所述第一钝化层背离所述衬底一侧的第二钝化层。可选的，所述外延片在所述环形区的侧面与所述外延片的实体部覆盖所述衬底表面之间夹角为30-88度，包括端点值。可选的，所述电流扩展层包括对应所述第一通孔的辅助通孔，所述P电极通过所述第一通孔和所述辅助过孔与所述P型层接触。可选的，所述电流扩展层包括所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的欧姆接触子层、第一透明导电子层和第二透明导电子层，所述第二透明导电子层掺杂有金属Al。可选的，所述绝缘层为Al2O3绝缘层、AlN绝缘层或AlON绝缘层。可选的，所述N电极和所述P电极至少包括位于所述绝缘层覆盖所述外延片的侧边的部分。可选的，所述电流扩展层、所述绝缘层、所述第一钝化层和所述第二钝化层的叠层形成增透膜结构。可选的，所述第一钝化层为Al2O3钝化层、AlN钝化层或AlON钝化层；及，所述第二钝化层为SiO2钝化层。可选的，所述第一钝化层的介电常数大于所述第二钝化层的介电常数。可选的，所述N电极和P电极包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的Cr层、Ni层、Al及Cu合金层、第一Ti层、Pt层、第二Ti层、Au层及TiW层。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供了一种发光二极管，包括：衬底；位于所述衬底表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的N型层、有源层和P型层；所述外延片包括环形区和位于所述环形区内的台阶区，所述环形区处裸露所述衬底，且所述台阶区处裸露所述N型层；位于所述P型层背离所述衬底一侧的电流扩展层；覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔；位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的P电极和N电极，所述P电极通过所述第一通孔与所述P型层实现电接触，所述N电极通过所述第二通孔与所述N型层接触；覆盖所述绝缘层背离所述衬底一侧、所述P电极和所述N电极的裸露面的复合钝化层，所述复合钝化层包括裸露所述P电极的第一焊接通孔和裸露所述N电极的第二焊接通孔，所述复合钝化层包括第一钝化层及位于所述第一钝化层背离所述衬底一侧的第二钝化层。可见，通过绝缘层覆盖电流扩展层、外延片的裸露面及环形区，提升绝缘层对外延片对电流扩展层的侧面及外延片的侧面的保护，有效隔离发光二极管的半导体材料与外界环境的水汽接触，保证发光二极管的可靠性高。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的另一种发光二极管的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的又一种发光二极管的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的制作方法的流程图；图5a-图5f为图4中各步骤相应的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，应用于显示屏的LED芯片呈现低电流、常态反庄的工作状态，当根据其反向截止特性，通过给其施加反向电压，使其处于截止状态时，具有该LED芯片的显示屏显示黑色，处于不工作的显示状态。现有的发光二极管易被水汽侵蚀而影响其可靠性。基于此，本专利技术实施例提供了一种发光二极管，有效地解决了现有技术存在的技术问题，保证发光二极管的可靠性高。为实现上述目的，本专利技术实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图5f对本专利技术实施例提供的技术方案进行详细的描述。参考图1所示，为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的结构示意图，其中，发光二极管包括：衬底100。位于所述衬底100表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底100至所述外延片方向依次叠层设置的N型层201、有源层202和P型层203；所述外延片包括环形区210和位于所述环形区210内的台阶区220，所述环形区210处裸露所述衬底100，且所述台阶区220处裸露所述N型层201。位于所述P型层203背离所述衬底100一侧的电流扩展层300。覆盖所述电流扩展层300和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层400，所述绝缘层400包括位于所述电流扩展层300处的第一通孔及位于所述台阶区220处的第二通孔。位于所述绝缘层400背离所述衬底100一侧的P电极501和N电极502，所述P电极501通过所述第一通孔与所述P型层203实现电接触，所述N电极502通过所述第二通孔与所述N型层201接触。覆盖所述绝缘层400背离所述衬底100一侧、所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的N型层、有源层和P型层；所述外延片包括环形区和位于所述环形区内的台阶区，所述环形区处裸露所述衬底，且所述台阶区处裸露所述N型层；/n位于所述P型层背离所述衬底一侧的电流扩展层；/n覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔；/n位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的P电极和N电极，所述P电极通过所述第一通孔与所述P型层实现电接触，所述N电极通过所述第二通孔与所述N型层接触；/n覆盖所述绝缘层背离所述衬底一侧、所述P电极和所述N电极的裸露面的复合钝化层，所述复合钝化层包括裸露所述P电极的第一焊接通孔和裸露所述N电极的第二焊接通孔，所述复合钝化层包括第一钝化层及位于所述第一钝化层背离所述衬底一侧的第二钝化层。/n

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面上的外延片，所述外延片包括自所述衬底至所述外延片方向依次叠层设置的N型层、有源层和P型层；所述外延片包括环形区和位于所述环形区内的台阶区，所述环形区处裸露所述衬底，且所述台阶区处裸露所述N型层；
位于所述P型层背离所述衬底一侧的电流扩展层；
覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔；
位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的P电极和N电极，所述P电极通过所述第一通孔与所述P型层实现电接触，所述N电极通过所述第二通孔与所述N型层接触；
覆盖所述绝缘层背离所述衬底一侧、所述P电极和所述N电极的裸露面的复合钝化层，所述复合钝化层包括裸露所述P电极的第一焊接通孔和裸露所述N电极的第二焊接通孔，所述复合钝化层包括第一钝化层及位于所述第一钝化层背离所述衬底一侧的第二钝化层。


2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述外延片在所述环形区的侧面与所述外延片的实体部覆盖所述衬底表面之间夹角为30-88度，包括端点值。


3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述电流扩展层包括对应所述第一通孔的辅助通孔，所述P电极通过所述第一通孔和所述辅助过孔与...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，林锋杰，刘英策，张阿茵，邬新根，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35