本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第二型扩展电极具有一中间扩展电极，其余所述第二型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；所述第一型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；且，所...

本发明提供了一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法，通过在所述待刻蚀结构的表面依次形成聚合物层、负性光刻胶，通过曝光、显影形成倒梯形台面的掩膜板，即光刻胶的图形呈上宽下窄，再通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转，使光刻...

本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可...

本发明提供了一种集成式LED芯片及其制作方法，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层(即电极引线)与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过在MQW层和电子阻挡层之间设有最后一个量子垒层，且所述最后一个量子垒层的势垒高度低于所述电子阻挡层的势垒高度，使在所述MQW层与所述电子阻挡层之间形成电子阻挡及空穴存储区，以避...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，本申请提供的LED芯片的制作方法，一方面，通过光刻、刻蚀的方式将阻挡层进行图形化处理，实现一道光刻工艺同时形成电流阻挡层和N区掩膜；另一方面，通过干法刻蚀同时刻蚀P区掩膜、N区掩膜和切割道图形，实...

本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过在所述衬底表面依次堆叠缺陷阻隔层、第一N型半导体层、电流阻挡层、第二N型半导体层、有源层、P型半导体层。通过所述缺陷阻隔层阻挡所述衬底与半导体层之间因晶格失配所产生的缺陷的向上延伸；同...

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置在外延叠层的台面依次形成第一电流阻挡层和电流扩展层，且P型电极包括互连的P型连接部和P型扩展部；其中，所述P型连接部层叠于所述第一电流阻挡层的表面，并通过通孔嵌入所述第一电流阻挡层的方式与...

本发明提供了一种发光外延结构及发光二极管芯片，其中发光二极管芯片包括有通过隧穿结过渡的第一有源层和第二有源层；或者，发光二极管芯片包括有通过绝缘层相叠加的第一有源层和第二有源层，使得发光二极管芯片包括有更多的发光区域，能够有效提高发光二...

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过设置所述第二型扩展电极具有一中间扩展电极，其余所述第二型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧；所述第一型扩展电极以所述中间扩展电极为中间轴两两分布在中间扩展电极的两侧...

本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层；另外，在PAD制作时，通过蚀刻的方式，裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，在MQW层和P型半导体层之间依次设有最后一个量子垒层、P型复合层；其中，最后一个量子垒层包括GaN

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，所述第二电极层叠于所述发光台面的部分表面，且在所述发光台面中，所述第二电极及与其距离最短的棱角所形成的区域为强电流密度区；通过在除所述强电流密度区以外的发光台面表面构建透明导电层。从而，有效降低强...

本实用新型提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所述衬底...

本实用新型提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本实用新型设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度...

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其隔离层覆盖所述外延叠层并裸露所述凹槽的部分表面，且沿所述台面表面的隔离层具有至少一通孔；通过所述通孔实现对发光面积的控制；同时，所述通孔是对所述隔离层进行刻蚀工艺而形成，且隔离层为绝缘材料，则刻...

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、LED封装体及显示装置，包括绝缘衬底和通过键合工艺倒装固定于所述绝缘衬底表面的发光结构，其中，所述绝缘衬底设有若干个贯穿所述绝缘衬底且相互独立的金属填充孔，第一电极和第二电极通过键合工艺分别与...

本发明提供了一种外延结构、LED芯片及其制作方法，其中外延结构包括：图形化的混合生长衬底、N型半导体层、有源区和P型半导体层；混合生长衬底包括蓝宝石衬底及设置在蓝宝石衬底上表面的多个凸起结构和缓冲层，凸起结构为易腐蚀性材料，且相邻凸起结...

本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构通过所述...

本发明提供了一种用于LED晶圆制程的装置，包括载盘和压环，载盘侧面为倾斜面，载盘侧面与晶圆放置面形成载盘倾斜角，压环用于固定载盘，压环定位角用于定位载盘倾斜角，压片部用于压住载盘边缘。本发明设置压环定位角与载盘倾斜角的形状、角度相匹配，...