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厦门乾照光电股份有限公司专利技术
厦门乾照光电股份有限公司共有510项专利
一种垂直结构LED芯片制造技术
本技术提供一种垂直结构LED芯片,该垂直结构LED芯片包括水平设置于导电基板一侧的两个垂直发光结构,两个垂直发光结构彼此反向并联连接,用于连接到交流电源中使用,或用于垂直结构LED芯片的反向电压保护;既拓宽了LED的应用,使LED供电系...
一种微型LED芯片及其制作方法技术
本发明提供了一种微型LED芯片及其制作方法,本申请提供的微型LED芯片的制作方法,一方面,通过控制生长条件在外延结构上制备具有刻蚀速率差异的I TO复合层,I TO复合层包括层叠的I TO导电层和I TO掩蔽层,并刻蚀I TO复合层形成...
一种LED芯片制造技术
本技术提供了一种LED芯片,通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构,光线在所述复合区域可形成全反射,从而使第二电极对应复合区域的光线被反射...
一种LED芯片制造技术
本技术提供了一种LED芯片,通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地,所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠结构,且所述...
一种LED芯片制造技术
本技术提供了一种LED芯片,通过:在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层;其中,所述介质层具有若干个通孔,且在所述通孔内设有第一欧姆接触层;所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接触层形成接触...
一种红光Mini LED外延结构、红光Mini LED芯片及RGB Mini LED芯片制造技术
本技术提供一种红光MiniLED外延结构、红光Mini LED芯片及RGB Mini LED芯片,其中Mini LED外延结构包括:堆叠结构,堆叠结构包括依次层叠的第一型半导体层、第一界面层、第一波导层、有源区、第二波导层、第二界面层及...
一种半导体器件及其制作方法技术
本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,其可通过腐蚀或刻蚀的方法实现所述导电衬底的分割,或者采用图形化电镀的方法直接沉积相互分割所述导电衬底,以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此,在后续制备出子半导体单元阵列后,无需再进行切割和...
一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法技术
本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法,其中,通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、防扩散结构、通孔反射结构、金属反射层、传导层、绝缘层以及外延叠层;其中,防扩散结构用于防止金属键合层的金属材料扩散至通孔反射...
一种半导体器件及其制作方法技术
本发明提供了一种半导体器件及其制作方法,其可通过溶液腐蚀或干法刻蚀或激光切割或图形化电镀工艺,以实现所述导电衬底在晶圆端的预先分割。基于此,在后续制备出子半导体单元阵列后,无需再进行切割和劈裂,进而避免了后续导电衬底切割过程中机台昂贵、...
一种LED外延结构及其制备方法技术
本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法,通过设置所述有源层包括通过隧穿结串联的若干个量子阱结构,所述隧穿结包括沿第一方向依次堆叠的P型高掺半导体层、中间层以及N型高掺半导体层,所述P型高掺半导体层与所述N型高掺半导体层作为形成隧穿结...
一种制造技术
本实用新型提供了一种
一种红光制造技术
本发明提供一种红光
一种垂直结构制造技术
本发明提供一种垂直结构
一种垂直结构制造技术
本发明提供了一种垂直结构
一种制造技术
本实用新型提供了一种
一种垂直结构LED芯片制造技术
本实用新型提供了一种垂直结构LED芯片,在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜,使光线被反射后从LED芯片的上表面取出,有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率;同时,通过嵌入所述集成金属层,在制作集...
一种制造技术
本发明提供了一种
一种LED芯片及其制作方法技术
本发明提供了一种LED芯片及其制作方法,通过:在所述导电基板的表面依次设置导电型键合层、金属反射层、介质层、第二欧姆接触层以及外延叠层;其中,所述介质层具有若干个通孔,且在所述通孔内设有第一欧姆接触层;所述第二欧姆接触层与所述第一欧姆接...
一种氮化镓系半导体激光器及其制作方法技术
本发明提供了一种氮化镓系半导体激光器及其制作方法,包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、第一型波导层、有源区、第二型波导层以及P型半导体层;其中,在所述第二型波导层与P型半导体层之间还设有AlN插入层和空穴补充层,所述AlN插...
一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法技术
本发明提供一种深紫外垂直结构LED芯片及其制作方法,通过蚀刻工艺在外延叠层形成凹槽,凹槽裸露N型AlGaN层的部分表面后,在凹槽的底面先制作N型欧姆接触层,并对N型欧姆接触层高温退火使N型AlGaN层和N型欧姆接触层合金化,形成较低的接...
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