本发明公开一种发光二极管，提供一衬底，在衬底的下表面具有第一电极，在衬底的上表面依次有分布布拉格反射层、第一型外延层、有源层、第二型外延层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上；分布布拉格反射层是由N(1≤N≤100)对高折射率和低...

本发明涉及发光二极管领域。发光二极管结构是：衬底下表面具有第一电极，外延结构形成于衬底的上表面，外延结构分别为反射层、N型限制层、有源层、P型限制层、电流扩展层，第二电极形成于电流扩展层之上。其中，所述的反射层是由3组以上布拉格反射系统...

本发明公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构，采用MOCVD、MBE或其他设备在基板生长外延层，外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，通过掩膜保护，利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，再...

本发明公开一种发光二极管结构，包括基板、外延层、第一电极和第二电极；外延层生长在基板上，依次包括遂穿层、p型限制层、有源层、n型限制层、晶向蚀刻层和欧姆接触层，第一电极形成在欧姆接触层上，第二电极形成在基板上。其制造方法是：在一基板上生...

本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚...

本实用新型公开一种高亮度发光二极管，在导电基板上依序形成第二半导体层、活性层和第一半导体层，其特征在于：导电基板的另一面形成第二欧姆接触电极，第一半导体层上形成第一欧姆接触电极和肖特基接触焊线电极，且肖特基接触焊线电极与第一欧姆接触电极...

本实用新型公开一种具有反射层的三结太阳电池，在Ｐ－Ｇｅ衬底上生长形成包含两套布拉格反射层（ＤＢＲ）的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层（ＤＢＲ）是一套用于反射短波光子的铝铟磷ＡｌＩｎＰ／铝镓铟磷ＡｌＧａＩｎＰ顶电池反射层和一套...

本实用新型公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管，Ｎ－ＧａＡｓ衬底上外延的材料自下而上依次包括ｎ－ＧａＡｓ缓冲层、ＡｌＡｓ／Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ或ＡｌＩｎＰ／（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｙ］Ｐ布拉...

本发明公开一种具有反射层的三结太阳电池及其制造方法。在Ｐ－Ｇｅ衬底上生长形成包含两套布拉格反射层（ＤＢＲ）的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层（ＤＢＲ）是一套用于反射短波光子的铝铟磷ＡｌＩｎＰ／铝镓铟磷ＡｌＧａＩｎＰ顶电池反射...

本发明公开一种改良电流扩展层结构的高效发光二极管及其制造方法。Ｎ－ＧａＡｓ衬底上外延的材料自下而上依次包括ｎ－ＧａＡｓ缓冲层、ＡｌＡｓ／Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ａｓ或ＡｌＩｎＰ／（Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］）↓［ｙ］Ｉｎ↓［１－ｙ...