掩埋式高亮度发光二极管结构制造技术

技术编号:6866015 阅读:259 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构,采用MOCVD、MBE或其他设备在基板生长外延层,外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板,出光层另一侧作为第一电极,通过掩膜保护,利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区,蚀刻深度越过有源层,再通过真空溅射设备掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层,隔离层上方或附近镀制第二电极。本发明专利技术提高了电流的注入效率和发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高亮度发光二极管的制作方法及其结构,特别是利用蚀刻掩埋区后的发光二极管结构,可以降低发热对器件造成损耗,提高器件对注入电流的利用率,提高发光二极管的出光效率。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode ;LED)属半导体元器件之一,由于LED具有寿命长、功耗小、体积小、坚固耐用、多色显示、响应时间快、冷光发射、工作温度稳定性好、电压低和有利于环保,已经广泛应用于建筑物外观照明、景观照明、标识与指示性照明、室内空间展示照明、娱乐场所及舞台照明和视频屏幕,随着显示屏采用LED当背光源后,LED将打开了新的应用领域。因垂直结构的发光二极管的发光方式决定电极位于出光面的上方,所以避免不了电极的遮光与电极下方相对较大的电流密度,Lawrence等人在1983年提出用透明导电膜 Indium-tin oxide (ITO)和 Cadmium-tin oxide (CTI)作为欧姆接触导电层,由于 ITO 的电导率为2Χ10_4Ω · cm远大于半导体的电导率,提高了器件的横向扩展,使得电流密度分布更均勻均,进而提高了器件的效率和可靠性。但是电极正下方的高本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.掩埋式高亮度发光二极管结构,在基板生长外延层,外延层可以通过某种方式转移到另一基板,出光层另一侧作为第一电极,其特征在于:利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区,蚀刻深度越过有源层,掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层,隔离层上方或附近镀制第二电极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨凯黄尊祥李涛彭绍文刘建鋆王向武
申请(专利权)人:厦门乾照光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:92

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