发光二极管芯片及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种具较佳发光效率发光二极管芯片，其包括一个导热基板，以及设置在该导热基板上且沿远离该导热基板的一侧依次层叠的一个半导体层、一个透明电极层、一个欧姆接触层、以及一个电极接触垫。该半导体层包括依次层叠设置在该导热基板上的一个p型半导体层、一个活性层、以及一个n型半导体层。该n型半导体层远离该导热基板的一侧具有一个阶梯面，且该n型半导体层沿远离其中心区域的方向上的厚度呈阶梯状分布且逐渐变小。该透明电极层设置在该阶梯面上。该欧姆接触层设置于该透明电极层与该n型半导体层之间，该电极接触垫与该n型半导体层的中心区域本对且设置在该透明电极层上。另外，本发明专利技术还涉及一种制作上述发光二极管的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管芯片，尤其涉及一种具较佳发光效率的发光二极管芯片，以及一种制作该发光二极管芯片的方法。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，而广泛应用于各种照明领域。LED通常包括ρ型半导体层、活性层及η型半导体层。在LED两端施加电压时，空穴和电子将会在活性层复合，辐射出光子。目前，业界在LED的应用过程中所面临的一个问题是如何提高LED的发光效率。通常，LED的发光效率与电流在LED表面的分布均勻度关系密切，然而，现有的LED在通电时，其电流难以达到均勻分布的要求，相应地，其发光效率也受到较大的限制。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种具较佳发光效率的发光二极管芯片，并且同样有必要提供一种制作该发光二极管芯片的方法。一种发光二极管芯片，其包括一个导热基板及设置在该导热基板上且沿远离该导热基板的一侧依次层叠的一个半导体层、一个透明电极层、以及一个电极接触垫。该半导体层包括依次层叠设置在该导热基板上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管芯片，其包括：一个导热基板及设置在该导热基板上且沿远离该导热基板的一侧依次层叠的一个半导体层、一个透明电极层、一个欧姆接触层以及一个电极接触垫，该半导体层包括依次层叠设置在该导热基板上的一个ｐ型半导体层、一个活性层、以及一个ｎ型半导体层，该ｎ型半导体层远离该导热基板的一侧具有一个阶梯面，且该ｎ型半导体层沿远离其中心区域的方向上的厚度呈阶梯状分布且逐渐变小，该透明电极层设置在该阶梯面上，该欧姆接触层设置于该透明电极层与该ｎ型半导体层之间，该电极接触垫与该ｎ型半导体层的中心区域相对且设置在该透明电极层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赖志成，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94