【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光二极管设备本申请要求德国专利申请10 2012 103 160.6的优先权,其公开内容通过参引并入本文。
提出一种激光二极管设备。
技术介绍
具有高的光学功率密度的光源对于多种应用而言是关键器件。例如,由基于氮化物的化合物半导体材料体系构成的激光二极管对于投影系统、尤其是对于具有在1000流明和20000流明之间的光流的这样的投影系统而言具有高的商业潜力。 因此,对于这种应用而言,具有高的输出功率以及紧凑的壳体的器件是必要的。出于成本原因并且在标准化的范围内,所谓的TO结构系列(TO:transistor outline,晶体管外形)的呈TO金属壳体(“TO metal can,TO金属罐封装”)形式的壳体,例如呈已知的结构尺寸T038、T056和T090的形式的壳体是常见的,其中TO金属壳体基本上由钢制成。如今,对于激光二极管而言通常使用这样的标准TO构型,下面也简称为“T0壳体”。然而至今为止,TO壳体中的当前可用的激光二极管局限于低于3瓦特的光功率,这对于多种应用而言是不够的。然而,直到今日尚未实现借助这样的构型达到超过3瓦特的光功率。 例如从参考文献C.Vierheilig等,Proc.SPIE (国际光学工程学会的会议记录),卷8277,82770K,2012中已知TO壳体中基于氮化物的蓝色发射的激光二极管,所述激光二极管在室温下连续运行时能够在最大2.5瓦特的输出功率的情况下放射波长在440nm至460nm范围中的光。 在这样的激光二极管中,TO壳体具有热不足性,尤其是在出于技术理由通常借助于衬底的背离半导体层 ...
【技术保护点】
一种激光二极管设备,所述激光二极管设备具有带有安装部件(11)的壳体(1)和在所述壳体(1)中在所述安装部件(11)上的基于氮化物‑化合物半导体材料的激光二极管芯片(2),所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有带有用于产生光的有源层(23)的半导体层(21,22,23,24)并且所述激光二极管芯片具有带有用于放射所产生的光的辐射耦合输出区域(270)的辐射耦合输出面(27)、与所述辐射耦合输出面(27)相对置的后侧面(28)和使所述辐射耦合输出面(27)和所述后侧面(28)连接的侧面(29),其中所述激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在所述安装部件(11)上并且所述焊料层(3)具有大于或等于3μm的厚度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.04.12 DE 102012103160.61.一种激光二极管设备,所述激光二极管设备具有 带有安装部件(11)的壳体(I)和 在所述壳体(I)中在所述安装部件(11)上的基于氮化物-化合物半导体材料的激光二极管芯片(2),所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有带有用于产生光的有源层(23)的半导体层(21,22,23,24)并且所述激光二极管芯片具有带有用于放射所产生的光的辐射耦合输出区域(270)的辐射耦合输出面(27)、与所述辐射耦合输出面(27)相对置的后侧面(28)和使所述辐射耦合输出面(27)和所述后侧面(28)连接的侧面(29), 其中所述激光二极管芯片(2)借助于焊料层(3)直接安装在所述安装部件(11)上并且所述焊料层(3)具有大于或等于3μπι的厚度。2.根据权利要求1所述的激光二极管设备,其中所述衬底(20)是由结晶的(In,Al,Ga) N构成的导电衬底,并且所述激光二极管芯片(2)借助于所述焊料层(3)直接地与激光二极管芯片(2)的电连接层或所述衬底(20)安装在所述安装部件(11)上,所述电连接层设置在所述衬底(20)的背离所述半导体层(21,22,23,24)的一侧上。3.根据权利要求1或2所述的激光二极管设备,其中所述安装部件(11)具有由金属、尤其是铜构成的或者由陶瓷构成的基体或金属芯电路板。4.根据上述权利要求中的任一项所述的激光二极管设备,其中所述壳体(I)具有与所述安装部件(11)连接的壳体部件(10),所述壳体部件(10)和所述安装部件(11)具有由铜制成的基体,并且至少所述壳体部件(10)用钢包封。5.根据上述权利要求中的任一项所述的激光二极管设备,其中所述壳体(I)在所述安装部件(11)之上具有壳体盖(14),所述壳体盖封闭所述壳体(I)。6.根据上述权利要求中的任一项所述的激光二极管设备,其中所述焊料层(3)由软焊料构成。7.根据上述权利要求中的任一项所述的激光二极管设备,其中所述激光半导体芯片(2)具有...
【专利技术属性】
技术研发人员:乌韦·施特劳斯,森克·陶茨,艾尔弗雷德·莱尔,克莱门斯·菲尔海利希,
申请(专利权)人:欧司朗光电半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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