发光器件、发光器件封装以及照明系统技术方案

本发明专利技术公开了发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，其形成在衬底上使得向上暴露第一导电半导体层的一部分；在第二导电半导体层上的肖特基接触区域；在第二导电半导体层上的第二电极；以及在暴露的第一导电半导体层上的第一电极，其中当肖特基接触区域靠近台面边缘区域时，肖特基接触区域之间的距离变窄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。
技术介绍
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。通过组合周期表的III-V族元素能够形成P-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比率，LED能够表现各种颜色。同时，根据现有技术，可能出现电流集边(current crowding)，使得LED的寿命和可靠性可能被降低。另外，根据现有技术，在静电放电(ESD)时电流在反向方向上流动，使得可能损坏用作发光区域的有源层。为了解决上述问题，齐纳二极管被安装在封装中，但是齐纳二极管会吸收光。
技术实现思路
实施例提供发光器件和发光器件封装以及照明系统，其能够提高光提取效率和电流扩展效率。实施例提供发光器件、发光器件封装以及照明系统，其能够防止由静电放电(ESD) 引起的损坏而没有光量的损耗。根据实施例的发光器件可以包括衬底；发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，其形成在衬底上使得向上暴露第一导电半导体层的一部分；在第二导电半导体层上的肖特基接触区域；在第二导电半导体层上的第二电极；以及在暴露的第一导电半导体层上的第一电极，其中随着肖本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光器件，包括：衬底；发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层被形成在所述衬底上使得向上暴露所述第一导电半导体层的一部分；肖特基接触区域，所述肖特基接触区域在所述第二导电半导体层上；第二电极，所述第二电极在所述第二导电半导体层上；以及第一电极，所述第一电极在暴露的第一导电半导体层上，其中当所述肖特基接触区域靠近台面边缘区域时，所述肖特基接触区域之间的距离变窄。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黃盛珉，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：KR