【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管，尤其 涉及一种大功率III族氮化物发光二极管及其制作方法。
技术介绍
近二十年来，GaN基材料在外延生长、器件工艺方面得到了很大的发展，使得III 族氮化物半导体材料广泛应用于蓝/绿光和白光发光二极管、紫外探测器以及大功率电子器件；特别地，目前基于InGaN/GaN量子阱的LED器件已经进入商业化水平。由于自支撑 GaN衬底成本极其昂贵，GaN材料的同质外延极难实现；因此目前广泛使用的衬底材料包括蓝宝石(A1203)、SiC和Si。相比于其他材料，蓝宝石虽然具有不导电、导热差等缺点，但由于外延工艺成熟成为主流的GaN衬底材料。然而，蓝宝石衬底与GaN材料的晶格失配度(15%)和热失配度(34%)较大，引入了很高的缺陷态密度(IO10 cm-3)，导致GaN外延中的载流子的迁移率下降，少数载流子的寿命缩短等不良后果；另外，外延层材料在生长降温过程中，较厚的薄膜会产生龟裂。Amano和 Nakamura等人分别提出使用AlN和GaN作为缓冲层，大大提高了 GaN的晶体质量；然而，夕卜延层中仍存在IO7-IO8CnT3的位错密度。在LED外延...
【技术保护点】
１．一种ＩＩＩ族氮化物发光二极管，包括衬底（１）以及层叠于衬底上的半导体外延叠层，该半导体外延叠层由下至上依次包括Ｎ型层（２）、发光层（３）和Ｐ型层（４），其特征在于，部分半导体外延叠层通过刻蚀，在Ｎ型层（２）中形成一Ｎ型层台面，该Ｎ型层台面上设置Ｎ型电极（７）；在Ｐ型层（４）未刻蚀部分的上表面设置有Ｐ型电极（６）； 所述Ｎ型层（２）包括掺杂浓度一致的均匀掺杂层（２ａ）和掺杂浓度变化的调制掺杂层（２ｂ），调制掺杂层（２ｂ）设于均匀掺杂层（２ａ）和发光层（３）之间。
【技术特征摘要】
1.一种III族氮化物发光二极管，包括衬底(1)以及层叠于衬底上的半导体外延叠层， 该半导体外延叠层由下至上依次包括N型层O)、发光层C3)和P型层G)，其特征在于，部分半导体外延叠层通过刻蚀，在N型层O)中形成一 N型层台面，该N型层台面上设置N型电极(7)；在P型层⑷未刻蚀部分的上表面设置有P型电极(6)；所述N型层⑵包括掺杂浓度一致的均勻掺杂层Oa)和掺杂浓度变化的调制掺杂层Ob)，调制掺杂层Ob)设于均勻掺杂层Oa)和发光层(3)之间。2.根据权利要求1所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述调制掺杂层 (2b)的掺杂方式为周期性掺杂，包含若干周期性相间的高浓度掺杂层(9)和低浓度掺杂层 (10)，所述周期性掺杂的形式为掺杂浓度矩形形式变化或者正弦形式变化。3.根据权利要求2所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，周期性掺杂的周期为 IOnm到50nm,周期数为3-10个。4.根据权利要求1所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，调制掺杂层Ob)的掺杂方式为渐变过渡掺杂，为线性变化掺杂或者非线性变化掺杂。5.根据权利要求4所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，渐变过渡掺杂的浓度变化趋势为浓度从下到上递减变化。6.根据权利要求1所述的III族氮化物发光二极管，其特征在于，所述P型层(4)上表面设有一透明导电薄膜(5)，P型电极(6...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。