发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管及其制造方法，所述发光二极管包括：衬底；依次位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、插入层、n型半导体层、有源层、p型半导体层以及电流扩散层；其中，所述插入层由至少一层非掺杂氮化物层和至少一层n型掺杂氮化物层构成，所述非掺杂氮化物层靠近所述n型半导体层。在n型区域电流注入时，所述插入层可形成类似充放电的效果，从而缓冲了n型区域电流的过冲现象，有效的提高了材料抵抗静电的能力；同时，由于限制了电流扩散区域的范围，而加强了电流扩散的效果，提高了电流分散的均匀性和电子注入的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光领域，特别是涉及一种。
技术介绍
发光二极管(LED，Light Emitting Diode)由于具有寿命长、耗能低等优点，应用于各种领域，尤其随着其照明性能指标日益大幅提高，LED在照明领域常用作发光装置。其中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。目前，一般的LED结构采用了在ρ型半导体层(通常是P型氮化物如P型氮化镓)之后直接生长电流扩散层(Spreading layer), 例如铟氮化镓层(InGaN layer)或者铟锡氧化物层(ΙΤ0 layer)，传统的氮化镓基LED会由于在P型半导体层中的低电流分布而遭遇不均勻光辐射。一般的，这个缺点能够通过半透明接触层或者器件横向电流的交叉电极阵列而得到克服。然而，在传统的LED结构设计中，由于ρ型氮化物本身相对高的电阻导致了其电流的分散存在拥堵现象，电流主要集中在不能有效发光的P型电极之下，从而导致了发光的不均勻和发光效率的下降。为本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种发光二极管，包括：衬底；依次位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、插入层、ｎ型半导体层、有源层、ｐ型半导体层以及电流扩散层；其中，所述插入层由至少一层非掺杂氮化物层和至少一层ｎ型掺杂氮化物层构成，所述非掺杂氮化物层靠近所述ｎ型半导体层，所述ｎ型掺杂氮化物层靠近所述非掺层。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括 衬底；依次位于所述衬底上的缓冲层、非掺层、插入层、η型半导体层、有源层、ρ型半导体层以及电流扩散层；其中，所述插入层由至少一层非掺杂氮化物层和至少一层η型掺杂氮化物层构成，所述非掺杂氮化物层靠近所述η型半导体层，所述η型掺杂氮化物层靠近所述非掺层。2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述非掺杂氮化物层为非掺杂GaN层或非掺杂AlGaN层，所述η型掺杂氮化物层为η型掺杂GaN层或η型掺杂AlGaN层。3.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述η型掺杂氮化物层中掺入了硅离子。4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述插入层的厚度在5nm至200nm之间。5.如权利要求1至4中任一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括 深度延伸至所述η型半导体层的开口；形成于所述开口内的η型电极，所述η型半导体层通过所述η型电极与一电源负极电连接；形成于所述电流扩散层上的P型电极，所述P型半导体层通过所述P型电极与一电源正极电连接。6.如权利要求1至4中任一项所述的发光二极管，其特征在于，还包括形成于所述衬底远离所述η型半导体层表面上的η型电极，所述η型半导体层通过所述η型电极与一电源负极电连接；形成于所述电流扩散层上的P型电极，所述P型半导体层通过所述P型电极与一电源正极电连接。7.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李淼，
申请(专利权)人：映瑞光电科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31