应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED制造技术

一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括：一p型金属电极，该p型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个n型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体
，特别是指一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED。
技术介绍
垂直结构发光二极管通过热压键合、激光剥离等关键制备工艺，将氮化镓外延材料从蓝宝石衬底上转移到金属、硅、碳化硅等具有良好电、热传导特性的衬底材料上，使得器件电极上下垂直分布、电流沿垂直方向注入从而解决了正装、倒装结构氮化镓基发光二极管器件中因为电极平面分布、电流横向注入所导致的诸如散热、电流分布不均勻、可靠性差等一系列问题。由于垂直结构发光二极管多采用金属电极，其为吸光材料，且其面积越大遮光面也越大，从而导致器件电光转化效率的下降。如果通过降低金属电极面积来提高光输出功率，则会使得注入电流分布不均勻、金属电极与氮化镓接触特性下降，从而使得氮化镓与金属电极接触电压上升、注入电流扩展均勻性下降，这都会严重影响氮化镓发光二极管的光电特性。且金属材料价格昂贵，使得器件制备成本升高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构 LED，其是在垂直结构发光二极管中运用石墨烯材料的高光透过率以及良好的导电特性做来代替现有的金属电极，从而起到电流扩展层的作用本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构ＬＥＤ，包括：一ｐ型金属电极，该ｐ型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在Ｐ型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个ｎ型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。

【技术特征摘要】
1.一种应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，包括一 P型金属电极，该P型金属电极包括一金属支撑衬底，以及制作在金属支撑衬底上的金属反射镜；一空穴注入层，该空穴注入层制作在P型金属电极的金属反射镜上；一电子阻挡层，该电子阻挡层制作在空穴注入层上；一发光层，该发光层制作在电子阻挡层上；一电子限制层，该电子限制层制作在发光层上；一电子注入层，该电子注入层制作在电子限制层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在电子限制层上；两个η型金属电极，制作在电流扩展层上，覆盖一部分电流扩展层。2.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，其中所述P型金属电极的金属支撑衬底的材料为铜、镍、铜镍合金、铜钨合金或镍钴合金。3.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，其中所述P型金属电极的金属反射镜的材料为镍/银/钼/金、镍/银/金、镍/银/镍/金、钛 /铝/钛/金、钛/银/钛/金、铝/银/金或铝/钛/金中的一种材料。4.如权利要求1所述的应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED，其中所述空穴注入层选自于掺镁的P型氮化镓材料。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：张逸韵，汪炼成，郭恩卿，孙波，伊晓燕，王国宏，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：11