一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法技术

本发明专利技术介绍了一种氮化镓基外延片的生长方法，通过在多量子阱层和p型铝镓氮层之间，用三乙基镓作为镓的金属有机源，二茂镁作为受主杂质生长p型空穴注入层，这种生长结构不仅降低了p型层的体电阻，而且提高了注入空穴的有效浓度，增加了空穴与电子在有源区的有效复合，提高了发光二极管的发光效率。按标准芯片工艺制作的300×300μm2的以ITO为透明电极的芯片，其正向电压可降0.15V，光输出效率提高17％以上。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
本专利技术涉及一种氮化镓基外延片及其生长方法，特别涉及一种p型低阻抗和高空穴浓度的氮化镓基LED外延片及其生长方法。技术背景氮化镓(GaN)基化合物为直接带隙宽禁带半导体，其带隙从1.8-6.2eV连续可调，并且具有很高的击穿电压，因而被广泛应用于高亮度蓝绿光发光二极管(LED，LightEmittingDiode)、蓝紫光激光二极管(LD，LaserDiode)和高电子迁移率场效应晶体管(HEMT，HighElectronMobilityTransistor)。近年来，高亮度蓝绿光LED发展迅速，已成为全彩色高亮度大型户外显示屏、交通信号灯等必需的发光器件，同时，由蓝光LED激发黄色荧光粉制作的白光LED已大量应用于背光源、汽车照明等领域，并在固体照明光源领域显示了巨大的应用潜力。随着氮化镓基材料的产业化，高亮度的发光二极管最受瞩目。目前高亮度的氮化镓基材料主要通过提高光提取效率和内量子效率来增强出光强度。光提取效率主要采用图形化衬底、p型层的粗化和激光剥离工艺来实现。而提高内量子效率的进展相对较慢，主要受氮化镓基材料p型层中空穴浓度较本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种氮化镓基发光二极管外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、ｎ型氮化镓层、多量子阱层、ｐ型铝镓氮层、ｐ型氮化镓层和高掺杂的ｐ型电极接触层，其特征在于多量子阱层和ｐ型铝镓氮层之间还有ｐ型空穴注入层。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，其结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓基缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂的p型电极接触层，其特征在于多量子阱层和p型铝镓氮层之间还有p型空穴注入层,所述的p型空穴注入层厚度为5～100nm。2.根据权利要求书1中所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于所述的p型空穴注入层厚度为20～40nm。3.根据权利要求书1中所述的氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于所述的p型空穴注入层厚度为30nm。4.根据权利要求书1-3任意一项中所述的氮化镓基发光二极管外延片的生长方法，采用金属有机化合物化学气相沉积法，依次进行以下生长步骤：(1)在500～60...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘俊，杨天鹏，王东盛，关秋云，展望，周德保，肖志国，
申请(专利权)人：大连美明外延片科技有限公司，
类型：发明
国别省市：91