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本发明介绍了一种氮化镓基外延片的生长方法，通过在多量子阱层和p型铝镓氮层之间，用三乙基镓作为镓的金属有机源，二茂镁作为受主杂质生长p型空穴注入层，这种生长结构不仅降低了p型层的体电阻，而且提高了注入空穴的有效浓度，增加了空穴与电子在有源区的...
该专利属于大连美明外延片科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连美明外延片科技有限公司授权不得商用。

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