本实用新型提供一种抗静电的垂直结构LED芯片，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构L...

本实用新型提供了一种LED晶圆、转移基板以及显示装置，通过在所述衬底背离所述LED芯粒的一侧表面设有垫高层，进一步地，所述垫高层环绕设置于所述晶圆的边缘。在后续转移过程中，将所述LED晶圆与所述转移基板对位键合时，所述垫高层用于缓解所述...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过灰度掩膜光刻板对所述外延叠层进行曝光、显影、蚀刻，同步形成若干个隔离槽及若干个对应设置的凹槽和发光台面，以获得通过所述隔离槽相互间隔排布的若干个子外延叠层，且所述凹槽和发光台面对应设置于各所述...

本实用新型提供一种Mini

本实用新型提供了一种LED芯片，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED芯片在发...

本实用新型提供了一种LED芯片，通过将衬底设置具有多个凸起，所述发光结构层叠于所述衬底具有凸起的一侧表面；其中，所述凸起沿第一方向的横截面积逐渐减小；沿第一方向上所述凸起的单位高度所对应的横截面积差值为变化速率，则变化速率和凸起高度的曲...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第一电极和/或第二电极包括Au、Al、Ag、Ni、Be、Cr、Ti、Zn、Pt、W、Ta中的至少两种的堆叠结构。进一步地，所述第一电极和/或第二电极包括含Au层和Al层的至少两种的堆叠...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域...

本实用新型提供一种Micro

本发明提供一种Mini

本发明提供了一种半导体发光元件及其制作方法，通过在所述V型凹坑形成后生长所述空穴阻挡层，一方面，利用所述空穴阻挡层较高的势垒，以减少N型半导体层中的电子向P型半导体层扩散，从而减少电子溢流；另一方面，所述空穴阻挡层可以拦截P型半导体层的...

本发明提供了一种LED外延结构，所述N型半导体层至少包括三个N型半导体子层，且至少两个所述N型半导体子层的N型N型掺杂浓度不一致。进一步地，在所述N型半导体层中，靠近所述衬底一侧的N型半导体子层为N型半导体底层，靠近所述有源层一侧的N型...

本实用新型提供了一种微型发光元件，本实用新型提供的微型发光元件，包括基板及位于所述基板表面的若干个LED芯片；其中，所述基板具有若干个间隔分布的电极连接部件；所述LED芯片包括垂直结构LED芯片；所述垂直结构LED芯片横卧于所述基板表面...

本发明提供一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，包括衬底及依次层叠于所述衬底表面的N型半导体层、应力释放层、隧穿势垒层、量子点结构以及P型半导体层；其中，所述应力释放层用于释放应力且俘获载流子，其包括交替堆叠的量子阱和量子垒；且所述应力释放...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，本发明提供的LED外延结构，通过在所述电子阻挡层与P型半导体层之间设有由第一抗静电层、过渡层以及光提取层所组成的周期结构。从而，通过过渡层缓解所述第一抗静电层与光提取层的生长条件差异性；同时，...

本申请提供了一种LED芯片的制备方法以及LED芯片，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成外延结构，在外延结构上形成P电极和N电极，形成P电极包括：以第一蒸镀速率形成第一金层，以第二蒸镀速率形成第二金层，以第三蒸镀速率形成第三金层，形成N...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过第一绝缘层、第一电极连通层、第二绝缘层的配合设计，使得所述导电基板与所述第二型半导体层(P型半导体层)直接电性连接，进一步地，所述导电基板可作为LED芯片与外部接触的第二电极，如此实现了LED...

本发明提供了一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底和外延层，所述外延层具有凹槽，凹槽暴露出部分外延层中的N型半导体层；位于所述外延层背离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层背离所述衬底一侧的表面具有纳米疏水结构...

本发明提供了一种高可靠性的LED芯片结构及其制备方法，该LED芯片结构包括：衬底和外延层，所述外延层具有凹槽，凹槽暴露出部分外延层中的N型半导体层；位于所述外延层背离所述衬底一侧的钝化层，所述钝化层背离所述衬底一侧的表面具有纳米疏水结构...