本申请实施例公开了一种刻蚀托盘及刻蚀方法，该刻蚀托盘包括：下片和上片，上片覆盖下片表面，下片的材料为金、银、铜、铝中的一种，上片的材料为碳化硅、氮化铝、石墨中的一种，使得该刻蚀托盘为由散热能力较好的材料和散热能力较差的材料组成的复合托盘...

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：芯片衬底、外延结构、P型电极、N型电极以及绝缘层，外延结构包括第一P型层、第一有源层、第一N型层，第一N型层包括第一子N型层和第二子N型层，有源层、第一子N型层裸露P型层部...

本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，本发明提供的垂直结构LED芯片，通过在基板表面依次设置键合层、防扩散层、金属反射镜以及外延叠层；其中，所述防扩散层用于防止所述键合层的金属扩散，从而提高产品的可靠性以及外量子效率，此外，所...

本实用新型提供了一种发光二极管的外延结构及LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂层覆盖各...

本发明提供了一种具有平坦化绝缘层的LED芯片及其制作方法，通过在制作金属接触层之前，在所述P型半导体层背离所述衬底的一侧形成平坦化绝缘层，所述平坦化绝缘层上具有第二凹槽结构，用于暴露出所述P型半导体层；之后，通过所述第二凹槽结构，在所述...

本发明提供了一种具有改性层的LED芯片及其制作方法，不仅提高了芯片结构的粘附性，而且同时能作为透明导电层的硬掩膜，改善透明导电层材料蚀刻边缘不规则的缺陷，如此可提高芯片静电击穿可靠性。并且，该改性层的材料选用晶格大小介于透明导电层和绝缘...

本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括衬底、外延结构、截止层和透明导电层，其中，所述截止层具有贯穿所述截止层的通孔，以露出部分所述外延结构，所述透明导电层设于所述通孔中露出的外延结构上和所述截止层上，以使得所述透明导电...

本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并...

本发明提供了一种具有波导应变的外延结构、LED芯片及制作方法，通过在所述生长衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、第一波导层、有源区、第二波导层以及第二型半导体层；所述有源区包括交替形成的量子垒和量子阱，且所述量子垒和量子阱的晶格常数小于所...

本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGa...

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且在所述凹槽的侧壁附有隔离层，所述隔离层包括透明绝缘材料；再者，通过金属反射层覆盖所述台面并延伸至所述隔离层的表面，使...

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括：基底和位于基底上依次层叠的第一型半导体层、多量子阱有源层和第二型半导体层，其中，多量子阱有源层包括沿背离基底的方向交替排布的量子垒层和量子阱层，量子垒层为InGaN量子垒层，量子...

本实用新型提供一种多波长LED芯片，其中多波长LED芯片包括：依次堆叠在所述基板表面的键合层、金属反射镜、堆叠结构；所述堆叠结构包括发光结构和覆盖层，若干个所述发光结构沿所述第一方向依次堆叠且呈台阶状分布，各所述发光结构包括沿所述第一方...

本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在基板表面依次设置键合层、金属反射镜、介质层以及外延叠层，其中，所述介质层具有介质孔，且所述金属反射镜通过填充于所述介质孔内的欧姆接触结构与所述外延叠层形成连接；一方面，使欧姆接触结构...

本实用新型提供了一种基于垂直结构LED芯粒应用的单/双面显示装置，包括导电面板及分别设置于所述导电面板上、下表面的第一LED阵列和第二LED阵列；通过共用所述导电面板将垂直结构LED芯粒分别键合至所述导电面板的上、下表面，并通过导电面板...

本发明提供了一种发光二极管的外延结构及其制备方法、LED芯片，通过将衬底设置为表面具有多个凸起的图形化衬底，且在所述凸起的表面设有反射层；有利于增大衬底的反射出光率，从而进一步提高发光二极管LED芯片的发光亮度。进一步地，所述非故意掺杂...

本发明提供一种多波长LED芯片及其制作方法，其中多波长LED芯片包括：依次堆叠在所述基板表面的键合层、金属反射镜、堆叠结构；所述堆叠包括发光结构和覆盖层，若干个所述发光结构沿所述第一方向依次堆叠且呈台阶状分布，各所述发光结构包括沿所述第...

本实用新型提供了一种气体过滤器，包括滤灌，滤灌包括顶部的上盖、中间串联的多级滤筒和底部的集尘盒，各多级滤筒的气体通道相连通；各多级滤筒内部均设有一个过滤装置，过滤装置底部设有开口，过滤装置顶部密闭滤芯空心排气通道的顶部；进气口、过滤装置...

本发明提供了一种具有光转换功能的发光结构LED芯片及制备方法，通过将光转换材料植入外延叠层内部，实现了初步的光转换发光结构。在此基础上制作的LED芯片，在后续封装过程中，可以免除光转换材料覆盖的过程，有利于减少工序。同时，本技术方案避免...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过：在N型半导体层和MQW层之间设有由非掺杂InGaN构成的电子冷却层，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；且所述电子冷却层的In组分小于所述量子阱的In组分。由...