本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，通过：在N型半导体层和MQW层之间设有由非掺杂InGaN构成的电子冷却层，所述量子垒包括GaN层，所述量子阱包括InGaN层；且所述电子冷却层的In组分小于所述量子阱的In组分。由...

本发明提供了一种基于垂直结构LED芯粒应用的单/双面显示装置，包括导电面板及分别设置于所述导电面板上、下表面的第一LED阵列和第二LED阵列；通过共用所述导电面板将垂直结构LED芯粒分别键合至所述导电面板的上、下表面，并通过导电面板实现...

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，其外延叠层的边缘蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成台阶，且所述外延叠层的外围具有衬底裸露面；通过将DBR反射层覆盖所述外延叠层且裸露所述台阶的部分表面，所述DBR反射层具有裸露部分所述第二型半导体...

本实用新型提供了一种石墨载盘装置，包括载盘架及石墨载盘，载盘架包括若干支撑杆及分别用于连接各支撑杆两端的两块固定座，各支撑杆设有若干个连接凹槽，支撑杆的连接凹槽能够分别与其他支撑杆的一个连接凹槽形成一组定位凹槽，各连接凹槽底部设有卡槽，...

本实用新型提供了一种Mini LED芯片，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接...

本发明提供了一种微型发光元件及其制作方法，其DBR结构层包括依次层叠的DBR黏附层、DBR反射层和DBR牺牲层，通过DBR黏附层改善后续DBR反射层的结构披覆性；并利用所述DBR牺牲层、DBR反射层及DBR黏附层的蚀刻速率依次降低的设置...

本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作...

本发明提供了一种LED芯片及其制备方法，通过将扩展电极层叠于所述发光结构背离所述衬底的一侧表面；所述透明导电层层叠于所述扩展电极背离所述发光结构的一侧表面，且所述透明导电层完全覆盖所述扩展电极或裸露部分所述扩展电极；使透明导电层层叠于扩...

本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过至少在一势垒层靠近所述第一型半导体层的一侧表面依次设有降温层和深阱层，至少在一势垒层靠近所述第二型半导体层的一侧表面依次设有浅阱层和升温层；其中，所述降温层、升温层用于所述势垒层与势阱...

本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，通过将靠近所述P型半导体层的势阱层设置为：包括沿生长方向In组分逐渐减少的Al

本实用新型提供了一种半导体外延结构及LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区、第二型半导体层，所述有源区包括n个沿第一方向依次层叠的量子层，各所述量子层包括势垒层和势阱层，且至少在一相邻的两个量子层之间设有应力释放...

本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，通过在所述外延叠层的侧壁涂覆有遮挡层，用于遮挡LED芯片的侧向溢出光；在所述外延叠层背离所述导电基板的一侧表面涂覆有荧光粉；在利用垂直结构LED芯片的出光形貌呈近朗伯分布的优势的同时，通过...

发明提供了一种LED芯片，外延结构包括：第一半导体层；位于第一半导体层一侧上的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相同；位于第二半导体层背离第一半导体层上的位错阻挡层；位于位错...

本发明提供了一种外延生长衬底、半导体外延结构及其制作方法，通过设置：具有若干个凸台的图形化衬底以及形成于所述图形化衬底表面的保护层；相邻的所述凸台之间具有间隙，且所述保护层填充所述间隙并覆盖各所述凸台的顶面；所述保护层用于保护所述生长衬...

本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，实现了将电流扩展层与PAD金属层集成到一起的制作方式，即形成集成金属层，用集成金属层取代电流扩展层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，由于Au金属材料的电阻率较低，可以实现...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，在有源层背离所述N型半导体层一侧设有复合电流扩展层，其中，所述复合电流扩展层包括若干个由空穴供给层及空穴势垒层所组成的周期单元，且以所述空穴供给层作为所述复合电流扩展层的接触表面；进一步地，所...

本实用新型提供了一种半导体外延结构、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠N型半导体层、消闸层、有源层、P型半导体层，通过外延结构设计，释放多余的电子，有效提高电子浓度，增加电子隧穿几率，提高晶体质量的同时降低LED的工作电压，提高LE...

本发明提供了一种可实现光均匀分布的mini

本申请实施例公开了一种紫外LED及其制作方法，该紫外LED包括：基底、发光层，所述发光层包括至少一个层叠单元，所述层叠单元包括量子垒单元和量子阱单元，所述量子垒单元包括层叠的第一量子垒层、第一应力平衡层、第二量子垒层，所述量子阱单元包括...

本发明提供了一种提高LED结构稳定性的方法，包括：将ITO浸泡在包含化学修饰剂的溶液中进行浸泡，得到修饰后的ITO；所述化学修饰剂为包含氨基和\或巯基的有机物；然后在修饰后的ITO表面蒸镀金属层。与现有技术相比，本发明通过在ITO表面形...