本申请提供一种LED芯片电学性能的检测装置及方法，包括：电子枪以及电流信号检测电路；电流信号检测电路的第一端与电子枪连接，电流信号检测电路的第二端与待测LED芯片的PN结的第一级连接；其中，电子枪发射的电子束轰击在待测LED芯片的PN结...

本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型...

本实用新型公开了一正装半导体发光器件，其包括依次层叠的一外延单元、一透明导电层、一绝缘层和一电极组以及具有一第一端部和对应于所述第一端部的一第二端部，其中所述电极组一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的N型电极焊盘形成于所述第二端部...

本发明公开了一种Micro LED阵列基板及其制作方法，其中，通过Micro LED基材的对位凸起电极和对位凹陷电极，及电路承载基板的限位凹陷电极和限位凸起电极实现Micro LED基材和电路承载基板之间的对位，进而无需在Micro L...

本申请公开了一种巨量转印方法及巨量转印装置，其中，所述巨量转印方法在第一衬底通过形成第一固定层和第二固定层，并分别对第一固定层和第二固定层进行图案化的方法，形成了利用剩余的第一固定层作为锚定结构与第一衬底绑定的结构，且所述待转印芯片在通...

本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发...

本发明提供了一种PVD溅射设备、LED器件及其制作方法，包括：提供图形化衬底；在所述衬底表面形成Al(x)CU(1‑x)N缓冲层；在所述Al(x)CU(1‑x)N缓冲层表面形成GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层、P型GaN层...

本发明提供了一种薄膜生长组件、方法和LED制备方法，包括靶材和保护罩，所述保护罩可拆卸地安装在所述靶材上，且所述保护罩与所述靶材形成一密闭腔体，以将所述靶材的溅射面封闭在所述密闭腔体内。本发明中，采用AlGa合金靶材在N2氛围下生长了A...

本发明公开了一种具有双面水平桥接结构的高压发光二极管及其制作方法，通过第一串联电极和第二串联电极，实现外延结构上下第一类型半导体层和第二类型半导体层的连接，最终实现不同发光结构之间串联连接，由于第一串联电极和第二串联电极不存在较大高低差...

本申请提供了一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，其中，该集成式二极管芯片包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上的键合结构；位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个所述发光...

本发明提供了一种垂直结构芯片及制作方法，涉及光电子技术领域，垂直结构芯片包括导电基板、P面金属层、外延层、透明导电层以及金属电极，其中，外延层通过P面金属层固定在导电基板的一面，外延层沿背离导电基板的方向依次包括P型半导体、有源层以及N...

本发明公开了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，其中。通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的背面电极通过开孔和键合层与导电基板电连接，进而无需在第一芯片区进行刻蚀而裸露其背面电极，保证垂直高压发光二极管芯片的有效发光面积...

本申请公开了一种气相沉积设备及其控制方法、腔体清洁方法，气相沉积设备通过向腔体内通入由预设气体形成的气体脉冲，并且通过提供射频脉冲信号，将进入腔体内部的气体脉冲电离产生等离子体，以使等离子体对腔体的不同部位进行清洁，避免了湿法清洁过程需...

本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片及其电流扩展层，其中所述半导体芯片包括一衬底、一N型氮化镓层、一电流扩展层、一量子阱层、一P型氮化镓层、一N型电极和一P型电极，所述N型氮化镓层层叠于所述衬底，所述电流扩展层层叠于所述N型氮化镓层...

本发明提供了一种大功率紫外发光二极管及其制作方法，首先，通过若干N型通孔的设置，实现导电层与第一导电层形成电连接，进而有效地提高紫外发光二极管的电流扩展能力；其次，通过在所述透明导电层上设有若干呈均匀分布的扩展通孔，使所述透明导电层、金...

本发明公开了一种凹电极式的倒装芯片结构及制作方法，该凹电极式的倒装芯片结构中，由于所述第一电极结构和所述第二电极结构的厚度小于所述隔离层的厚度，因此，在焊接过程中，以使焊接剂填充至与所述隔离层同一表面，进而提高了焊接面的平整性，解决了小...

本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，并在衬底的一侧表面形成外延结构，外延结构至少包括依次形成在衬底表面的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；在透明导电层表面形成第一电极区镂空的Mesa光刻图形，对第一电极区的透...

本实用新型公开了一发光芯片，其包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极，所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述钝化层层叠于所述N型半...

本实用新型公开了一倒装发光芯片，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，其中所述第一绝缘层具有至...

本实用新型公开了一发光二极管的半导体芯片及其量子阱层，其中所述半导体芯片包括一衬底和依次层叠于所述衬底的一N型氮化镓层、一量子阱层和一P型氮化镓层以及被电连接于所述N型氮化镓层的一N型电极和被电连接于所述P型氮化镓层的一P型电极，其中其...