【技术实现步骤摘要】
一种倒装高压发光二极管及其制作方法
本申请涉及半导体器件制作
，尤其是一种倒装高压发光二极管及其制作方法。
技术介绍
随着发光二极管的技术不断快速发展，采用倒装高压结构制作发光二极管，可以提高发光二极管的发光亮度、降低发光二极管的成本，逐渐成为了发光二极管领域的一个重要分支。目前，倒装高压发光二极管主要采用将不同的发光结构通过电极连接深刻蚀槽串联构成，但是，现有倒装高压二极管在制作过程中，不同发光结构之间的深刻蚀槽的制作不易控制，容易出现刻蚀角度一致性差，影响倒装高压二极管的可靠性。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例提供了一种倒装高压发光二极管及其制作方法，以解决现有倒装高压发光二极管中不同发光结构之间的深刻蚀槽在制作过程中不易控制，容易出现刻蚀角度一致性差的问题，提高倒装高压二极管的可靠性。为实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：一种倒装高压发光二极管的制作方法，包括：在衬底的第一表面形成外延结构，所述外延结构包括层叠的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；...
【技术保护点】
1.一种倒装高压发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：/n在衬底的第一表面形成外延结构，所述外延结构包括层叠的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；/n对所述外延结构表面的至少一个第一区域和至少一个第二区域进行刻蚀，在所述第一区域形成第一凹槽，在所述第二区域形成第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽曝露所述N型氮化镓层；/n在所述P型氮化镓层和所述N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，所述复合掩膜结构包括至少两层掩膜层，所述至少两层掩膜层沿第一方向的被刻蚀速率逐渐增大，所述第一方向由所述N型氮化镓层指向所述P型氮化镓层；/n在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，以所述光刻胶图形为...
【技术特征摘要】
1.一种倒装高压发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：
在衬底的第一表面形成外延结构，所述外延结构包括层叠的N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层；
对所述外延结构表面的至少一个第一区域和至少一个第二区域进行刻蚀，在所述第一区域形成第一凹槽，在所述第二区域形成第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽曝露所述N型氮化镓层；
在所述P型氮化镓层和所述N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，所述复合掩膜结构包括至少两层掩膜层，所述至少两层掩膜层沿第一方向的被刻蚀速率逐渐增大，所述第一方向由所述N型氮化镓层指向所述P型氮化镓层；
在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，以所述光刻胶图形为掩膜在所述复合掩膜结构位于所述第一凹槽内的区域形成第一刻蚀孔，所述第一刻蚀孔背离所述N型氮化镓一侧的面积大于所述第一刻蚀孔朝向所述N型氮化镓层一侧的面积；
去掉所述光刻胶图形，以所述复合掩膜结构为掩膜，在所述第一刻蚀孔所在区域，形成贯穿所述N型氮化镓层的第二刻蚀孔。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述至少两层掩膜层包括沿所述第一方向层叠的第一掩膜层和第二掩膜层，其中，所述第一掩膜层的被刻蚀速率小于所述第二掩膜层的被刻蚀速率。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述至少两层掩膜层还包括：位于所述第二掩膜层背离所述第一掩膜层一侧的第三掩膜层，所述第三掩膜层的被刻蚀速率大于所述第二掩膜层的被刻蚀速率。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜层为氮化硅层，所述第二掩膜层和所述第三掩膜层为氧化硅层，且所述第二掩膜层中硅的含量小于所述第三掩膜层中硅的含量。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二掩膜层和所述第三掩膜层制作过程中的气源为SiH4和N2O，其中，所述第二掩膜层中SiH4的气体流量和N2O的气体流量比小于1.2，所述第三掩膜层中SiH4的气体流量和N2O的气体流量比大于1.2；
或，
所述第二掩膜层和所述第三掩膜层制作过程中的气源为SiH4和NO2，其中，所述第二掩膜层中SiH4的气体流量和NO2的气体流量比小于1.1，所述第三掩膜层中SiH4的气体流量和NO2的气体流量比大于1.1。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，如果所述第二掩膜层和所述第三掩膜层的气源为SiH4和N2O，所述第三掩膜层中SiH4的气体流量和N2O的气体流量比/所述第二掩膜层中SiH4的气体流量和N2O的气体流量比为3:2；
如...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟，李俊贤，刘英策，邬新根，黄瑄，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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