【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铝电解电容的制作方法。
技术介绍
由于现有的中高压铝电解电容器所采用的铝箔为高温化成工艺，形成为Y型AL2O3的致密型氧化膜，片面追求铝箔的比容和铝箔的电压，致密型氧化膜虽然致密稳定，但内阻大，造成电压波动时的发热量大，引起电容的失效，不合适电容两端压降的变化率过大电路环境。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种损耗小、内阻小的。本专利技术的目的可以这样实现，设计一种，包括步骤:A、选用低温化成工艺形成无定型结晶的AL2O3化成箔作为中高压铝电解电容的正极箔；B、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。进一步地，AL2O3化成箔为中高压腐蚀铝箔，厚度为75um 120um，腐蚀孔径在0.05微米以上。进一步地，所述低温化成工艺包括: ①草酸处理:草酸溶液的温度在10°C 45°C，草酸溶度在1% 10% ；②至少进行三级化成工序，化成工序采用五硼酸铵或硼酸工艺，槽液温液控制在20°C 90°C。 优选地，槽液温液控制在30°C 90°C。本专利技术采用无定型氧化膜结构的铝箔作为正极箔，降低电容的损耗角正切和内阻，以大大降低电容的...
【技术保护点】
一种中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于，包括步骤：A、选用低温化成工艺形成无定型结晶的AL2O3化成箔作为中高压铝电解电容的正极箔；B、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。
【技术特征摘要】
1.一种中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于，包括步骤: A、选用低温化成工艺形成无定型结晶的AL2O3化成箔作为中高压铝电解电容的正极箔； B、通过裁切、钉卷、含浸、封口、套胶、老化、测试分选工艺制作。2.根据权利要求1所述的中高压铝电解电容的制作方法，其特征在于:所述AL2O3化成箔为中高压腐蚀铝箔，厚度为75um 120um，腐蚀孔径在0.05微米以上。3.根据权利要求1所述的的制作方法，...
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