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本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法，该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔，利用复合掩膜结构在N型氮化镓层表...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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