一种高压LED芯片结构及其制作方法技术

本申请提供一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽度，而过渡电极的宽度由连接电极向第一扩展电极的方向逐渐减小。也即通过设置过渡电极，使得连接电极和第一扩展电极之间的宽度变化逐渐变小，而非突然发生变化，从而避免热量在宽度突变的位置发生积聚，造成高压LED芯片结构在使用过程中热量积聚发生烧毁的问题。

A high voltage LED chip structure and its fabrication method

【技术实现步骤摘要】
一种高压LED芯片结构及其制作方法
本专利技术涉及半导体器件制作
，尤其涉及一种高压LED芯片结构及其制作方法。
技术介绍
发光二极管(LED)的发光原理是利用电子在n型半导体与p型半导体间移动的能量差，以光的形式释放能量，这样的发光原理有别于白炽灯发热的发光原理，因此发光二极管被称为冷光源。此外，发光二极管具有耐久性高、寿命长、轻巧、耗电量低等优点，因此现今的照明市场对于发光二极管寄予厚望，将其视为新一代照明工具。然而，目前LED芯片尚存在着发光效率低的问题。因此提高发光二极管发光效率成为现今最大的课题。基于应用需求，针对提高LED芯片发光效率的技术被提出，例如采用透明衬底、表面粗化，CBL(电流阻挡层)、金属反射镜、倒装芯片、倒梯形芯片结构等技术。为降低LED封装应用成本，近年来，HV(高压芯片)应运而生，特别是在球泡灯领域得到广泛应用，由于HV(高压芯片)是在芯片制造段将多颗芯片集成，因此可以降低封装的打线成本及应用端的Driver(驱动)成本，进而降低整个LED成本。但是，高压LED芯片在实际使用中，容易出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：/n衬底；/n位于所述衬底上的多个相互绝缘的LED芯粒；/n每个所述LED芯粒背离所述衬底的表面均包括第一扩展电极和第二扩展电极；/n位于相邻两个LED芯粒之间，且电性连接相邻两个LED芯粒的第一扩展电极和第二扩展电极，实现相邻两个LED芯粒串联的连接部；/n所述连接部包括：/n与所述第二扩展电极电性连接的连接电极，在第一方向上，所述连接电极的宽度大于所述第一扩展电极的宽度，所述第一方向与第二方向垂直，所述第二方向为相邻两个LED芯粒的中心连线的方向；/n位于所述连接电极和所述第一扩展电极之间的过渡电极；/n其中，所述过渡电极在所述第一方向上的宽度...

【技术特征摘要】
1.一种高压LED芯片结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的多个相互绝缘的LED芯粒；
每个所述LED芯粒背离所述衬底的表面均包括第一扩展电极和第二扩展电极；
位于相邻两个LED芯粒之间，且电性连接相邻两个LED芯粒的第一扩展电极和第二扩展电极，实现相邻两个LED芯粒串联的连接部；
所述连接部包括：
与所述第二扩展电极电性连接的连接电极，在第一方向上，所述连接电极的宽度大于所述第一扩展电极的宽度，所述第一方向与第二方向垂直，所述第二方向为相邻两个LED芯粒的中心连线的方向；
位于所述连接电极和所述第一扩展电极之间的过渡电极；
其中，所述过渡电极在所述第一方向上的宽度，沿所述连接电极指向所述第一扩展电极的方向逐渐减小。


2.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述过渡电极在所述第一方向上的宽度，沿所述连接电极指向所述第一扩展电极的方向线性递减。


3.根据权利要求2所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述过渡电极的侧壁与所述第二方向的夹角范围为5°-70°，包括端点值。


4.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述过渡电极在所述第一方向上的宽度，沿所述连接电极指向所述第一扩展电极的方向非线性减小。


5.根据权利要求1所述的高压LED芯片结构，其特征在于，所述LED芯片包括位于衬底上沿背离所述衬底的方向依次设置的第一半导体层、量子阱发光层和第二半导体层；
其中，所述第一扩展电极位于所述第一半导体层表面；
且，所述过渡电极中至少部分位于所述第一半导体层表面上，与所述第一半导体层表面直接接...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英策，刘伟，邬新根，周弘毅，黄瑄，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35