一种LED芯片制造技术

本技术提供一种LED芯片，该LED芯片包括：金属键合层、金属反射结构、透明介质结构和堆叠结构，其中，金属反射结构和透明介质结构构成ODR反射结构，用于反射有源区出射的光及阻挡金属材质迁移至有源区；金属反射结构为多层的复合反射结构，可以有效地提高反射率；透明介质结构包括电介质层，或绝缘介质层，且，绝缘介质层具有贯穿绝缘介质层的多个通孔，各通孔由金属材质填充形成多个导电通道，电流可以通过电介质层或多个导电通道进行均匀分布，避免在大电流工作条件下，LED芯片出现电流拥挤及可靠性不好的问题；并结合出光面为粗化面，在扩大LED芯片发光角度的同时能够提高LED芯片出光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管，更为具体地说，涉及一种led芯片。

技术介绍

1、随着发光二极管的快速发展，led(light emitting diode，发光二极管)的应用日新月异。led具有节能、环保、寿命长等优点，是继白炽灯和日光灯之后的第三代电照明光源。现如今led已广泛应用于人们的日常生活中，如普通照明、指示灯、玩具、交通信号灯、手机、大尺寸显示屏、建筑景观装饰、汽车用灯等。

2、市场对发光二极管的亮度需求越来越高，芯片结构也跟着不断地改进优化。现有技术中存在着在大电流工作条件下，led芯片会出现电流拥挤及可靠性不好的问题，目前高亮度芯片主流结构采用各种电极优化能带来亮度的明显提升，但仍然存在电流拥挤及可靠性不好，导致led芯片的发光效率下降的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本技术提供一种led芯片，以解决现有技术中在大电流工作条件下，存在电流拥挤及可靠性不好，导致led的发光效率下降等问题。

2、为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：

3、一种led芯片，其特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述电介质层包括ITO层。

3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述电介质层包括由ITO层和ZnO层交替构成的DBR结构。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘介质层包括SiO2层。

5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述绝缘介质层包括透明绝缘材料层，其由SiN层、SiO2层、MgF层、MgO层中的两种材料层交替构成的DBR结构。

6.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：各所述导电通道均匀...

【技术特征摘要】

1.一种led芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述电介质层包括ito层。

3.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述电介质层包括由ito层和zno层交替构成的dbr结构。

4.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述绝缘介质层包括sio2层。

5.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于：所述绝缘介质层包括透明绝缘材料层，其由sin层、sio2层、mgf层、mgo层中的两种材料层交替构成的dbr结构。

6.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于：各所述导电通道均匀的分布于...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志伟，崔恒平，尤翠萍，蔡玉梅，陈凯轩，蔡建九，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：