一种LDMOS器件制造技术

本发明专利技术公开一种LDMOS器件。本发明专利技术包括衬底、位于衬底内的漂移区和体区，以及位于衬底之上、且横跨漂移区和体区的第一栅极，还包括位于漂移区的场板中的第二栅极，用于降低漂移区的掺杂浓度，有助于耗尽区在横向方向上的扩展，同时调控靠近漏极一侧场板拐角处的电场强度分布，优化器件击穿电压。本发明专利技术利用对分离的栅极施加电压调控LDMOS器件靠近漏极一侧拐角处电场强度以及耗尽区宽度，能够在不改变导通电阻情况下改善击穿电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路，具体是一种ldmos器件。

技术介绍

1、横向扩散金属氧化物半导体(ldmos)器件作为功率开关在功率集成电路中承压关键角色，面积在整个芯片中占比很大，ldmos器件功耗占据了整个功率集成电路损耗中的大部分。因此，ldmos器件性能的优劣是评判bcd工艺技术水平的重要标准。然而，ldmos器件的两个关键参数：击穿电压与比导通电阻存在矛盾关系。ldmos器件的耐压主要由漂移区承担，高的耐压值需要降低漂移区的掺杂浓度，降低漂移区的掺杂浓度会提升ldmos器件的比导通电阻。因此，制造高耐压低导通电阻的ldmos器件仍是一个挑战。

2、在传统ldmos器件中，为解决击穿电压与比导通电阻之间的矛盾关系，通常采用延长栅结构。如图1所示，以nldmos为例，其中1区域代表多晶硅栅poly，2区域代表场板结构(例如浅槽隔离sti结构、局部氧化隔离locos结构等)，3区域代表n型漂移区ndrift，4区域代表p型体区pbody，5代表源极，6代表漏极，7代表p型衬底。其中多晶硅栅延伸到场板上方使得下方漂移区8、9的电场分布发生改变本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDMOS器件，包括衬底、位于衬底内的漂移区和体区，以及位于衬底之上、且横跨漂移区和体区的第一栅极，其特征在于：还包括位于漂移区的场板中的第二栅极，用于降低漂移区的掺杂浓度，有助于耗尽区在横向方向上的扩展，同时调控靠近漏极一侧场板拐角处的电场强度分布，优化器件击穿电压。

2.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第二栅极是在已形成的场板进行刻蚀再填充而得到。

3.根据权利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述第一栅极与第二栅极所施加的电压极性相反。

4.根据权利要求2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述场板上的刻蚀深度范围...

【技术特征摘要】

1.一种ldmos器件，包括衬底、位于衬底内的漂移区和体区，以及位于衬底之上、且横跨漂移区和体区的第一栅极，其特征在于：还包括位于漂移区的场板中的第二栅极，用于降低漂移区的掺杂浓度，有助于耗尽区在横向方向上的扩展，同时调控靠近漏极一侧场板拐角处的电场强度分布，优化器件击穿电压。

2.根据权利要求1所述的ldmos器件，其特征在于：所述第二栅极是在已形成的场板进行刻蚀再填充而得到。

3.根据权利要求1所述的ld...

【专利技术属性】
技术研发人员：王爽，许凯，高大为，吴永玉，肖佳，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：