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本发明公开一种LDMOS器件。本发明包括衬底、位于衬底内的漂移区和体区，以及位于衬底之上、且横跨漂移区和体区的第一栅极，还包括位于漂移区的场板中的第二栅极，用于降低漂移区的掺杂浓度，有助于耗尽区在横向方向上的扩展，同时调控靠近漏极一侧场板拐...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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