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本申请提供一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

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