一种LED芯片的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种LED芯片的制作方法，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，提高LED芯片的发光亮度，并且，形成的金银合金层可以提高反射镜结构层整体的物理和化学稳定特性，进而实现了一种反射率高且稳定性高的LED芯片结构。并且，由于金金属层与相邻其它层的材料连接效果不好，通过该银金属层可以进一步提高反射镜结构层的结构稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片的制作方法
本专利技术涉及四元超高亮度LED芯片
，更具体地说，涉及一种LED芯片的制作方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种半导体二极管，其能将电能转换为光能，发出红、黄、绿、蓝等各种颜色的可见光以及红外和紫外的不可见光。但是，目前发光二极管中反射镜结构层的反射效率较低且结构稳定性较差。
技术实现思路
有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种LED芯片的制作方法，技术方案如下：一种LED芯片的制作方法，所述制作方法包括：提供第一衬底；在所述第一衬底上形成外延层；在所述外延层背离所述第一衬底的一侧依次形成银金属层和金金属层，构成反射镜结构层；进行热处理，以使所述银金属层和所述金金属层的接触面形成合金层；进行衬底转移，并制作电极结构。优选的，在上述制作方法中，所述第一衬底为GaAs衬底。优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一衬底上形成外延层，包括：在所述第一衬底上依次生长N型半导体层、MQW层和P型半导体层。优选的，在上述制作方法中，所述在所述第一衬底上形成外延层之后，所述制作方法还包括：在所述外延层背离所述第一衬底的一侧形成氧化物层或氟化物层。优选的，在上述制作方法中，所述氧化物层为SiO2层或ITO层。优选的，在上述制作方法中，所述氟化物层为氟化镁层或氟化铝层。优选的，在上述制作方法中，所述制作方法还包括：对所述氧化物层或所述氟化物层进行挖孔处理；形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层通过所述氧化物层或所述氟化物层与所述外延层连接。优选的，在上述制作方法中，在进行衬底转移之前，所述制作方法还包括：在所述金金属层背离所述第一衬底的一侧依次形成金属阻障层和键合层。优选的，在上述制作方法中，所述进行衬底转移，包括：提供第二衬底；将所述第二衬底与所述键合层进行键合处理；去除所述第一衬底。优选的，在上述制作方法中，所述第二衬底为Si衬底。优选的，在上述制作方法中，所述制作电极结构，包括：在所述外延层背离所述第二衬底的一侧形成N电极；对所述第二衬底进行减薄处理，并在所述第二衬底背离所述外延层的一侧形成P电极。优选的，在上述制作方法中，所述热处理的温度为300℃-500℃。优选的，在上述制作方法中，所述制作方法还包括：采用奈秒或皮秒紫外激光设备以正面烧熔切割的方式，沿着预留切割道进行切割，形成单独的LED芯片单元；其中，在激光正面切割后，所述LED芯片单元反射镜结构层的侧壁均为合金层。优选的，在上述制作方法中，所述银金属层的厚度为500埃-1500埃。优选的，在上述制作方法中，所述金金属层的厚度为所述银金属层厚度的二倍以上。相较于现有技术，本专利技术实现的有益效果为：本专利技术提供的一种LED芯片的制作方法，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，提高LED芯片的发光亮度，并且，形成的金银合金层可以提高反射镜结构层整体的物理和化学稳定特性，进而实现了一种反射率高且稳定性高的LED芯片结构。并且，由于金金属层与相邻其它层的材料连接效果不好，通过该银金属层可以进一步提高反射镜结构层的结构稳定性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程示意图；图2-图6为图1所示制作方法相对应的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的另一种LED芯片的制作方法的流程示意图；图8为图7所示制作方法相对应的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的又一种LED芯片的制作方法的流程示意图；图10-图11为图9所示制作方法相对应的结构示意图；图12为本专利技术实施例提供的又一种LED芯片的制作方法的流程示意图；图13-图14为图12所示制作方法相对应的结构示意图；图15为本专利技术实施例提供的又一种LED芯片的制作方法的流程示意图；图16-图18为图15所示制作方法相对应的结构示意图；图19为本专利技术实施例提供的又一种LED芯片的制作方法的流程示意图；图20-图22为图19所示制作方法相对应的结构示意图；图23为本专利技术实施例提供的又一种LED芯片的制作方法的流程示意图；图24-图25为图23所示制作方法相对应的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参考图1，图1为本专利技术实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程示意图。所述制作方法包括：S101：如图2所示，提供第一衬底21。S102：如图3所示，在所述第一衬底21上形成外延层31。S103：如图4所示，在所述外延层31背离所述第一衬底21的一侧依次形成银金属层41和金金属层42，构成反射镜结构层。S104：如图5所示，进行热处理，以使所述银金属层41和所述金金属层42的接触面形成预设厚度的合金层43。S105：进行衬底转移，并制作电极结构。在该实施例中，通过设置复合式银/金两层结构的反射镜结构层，在后续的热处理过程中，使银金属层和金属层之间的接触面形成预设厚度的金银合金层，其中，银金属层和金金属层在不同波段均可以实现优良的反射效果，提高LED芯片的发光亮度，并且，形成的金银合金层可以提高反射镜结构层整体的物理和化学稳定特性，进而实现了一种反射率高且稳定性高的LED芯片结构。并且，由于金金属层与相邻其它层的材料连接效果不好，相比较金金属层而言，银金属层具有良好的连接效果，因此通过该银金属层可以进一步提高反射镜结构层的结构稳定性。进一步的，基于本专利技术上述实施例，所述第一衬底包括但不限定为GaAs衬底，在一些其它的生产要求下，还可以是其它的材料衬底，在本专利技术实施例中并不作限定。进一步的，基于本专利技术上述实施例，步骤S102，所述在所述第一衬底21上形成外延层31，包括：如6所示，在所述第一衬底2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：/n提供第一衬底；/n在所述第一衬底上形成外延层；/n在所述外延层背离所述第一衬底的一侧依次形成银金属层和金金属层，构成反射镜结构层；/n进行热处理，以使所述银金属层和所述金金属层的接触面形成预设厚度的合金层；/n进行衬底转移，并制作电极结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供第一衬底；
在所述第一衬底上形成外延层；
在所述外延层背离所述第一衬底的一侧依次形成银金属层和金金属层，构成反射镜结构层；
进行热处理，以使所述银金属层和所述金金属层的接触面形成预设厚度的合金层；
进行衬底转移，并制作电极结构。


2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一衬底上形成外延层之后，所述制作方法还包括：
在所述外延层背离所述第一衬底的一侧形成氧化物层或氟化物层。


3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物层为SiO2层或ITO层。


4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述氟化物层为氟化镁层或氟化铝层。


5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
对所述氧化物层或所述氟化物层进行挖孔处理；
形成P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层通过所述氧化物层或所述氟化物层与所述外延层连接。


6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在进行衬底转移之前，所述制作方法还包括：
在所述金金属层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴奇隆，蔡和勋，王洪占，刘英策，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35