一种垂直近紫外发光二极管及其制备方法技术

本专利公开了一种垂直发光二极管，包括：金属衬底，所述金属衬底设置在底部；发光层，设置在金属衬底上方，所述发光层包括自下而上设置的P型半导体材料层、量子阱层、N型半导体材料层；ITO层，设置在N型半导体材料层上表面，所述所述ITO层上均匀设置有具有固定间隔周期的贯穿孔，所述ITO层以及所述贯穿孔的高度均为所述发光二极管发光波长的四分之一；在所述贯穿孔中固定设置第一金属材料电极；在所述ITO层的上表面设置有与所述ITO层以及所述第一金属材料电极接触的第二金属材料电极。通过上述方案提高了发光二极管的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直近紫外发光二极管及其制备方法
本专利属于半导体发光二极管
，具体而言涉及一种垂直近紫外发光二极管及其制备方法。
技术介绍
随着LED技术快速发展，波长范围在320-400nm近紫外LED应用范围越来越广。紫外LED与传统紫外光源比更加节能、寿命更长，并且不含有毒物质。但是和GaN基的近紫外LED和蓝光LED相比，紫外LED的量子效率低，金属反射镜对紫外波段光线吸收作用导致紫外LED输出功率更低。现有垂直结构LED是利用键合和激光剥离技术将GaN外延层从蓝宝石衬底转移到导电和散热更好的金属或硅衬底上,金属衬底直接作为P电极，而N电极则是在N型GaN上蒸镀上适合的金属薄膜，这样电极分布在量子阱两侧，电流扩展非常均匀适合于大功率LED芯片设计。然而大功率垂直LED芯片的尺寸更大，需要较大功率电流注入，相应的N电极大小和扩展条宽度随之加大，此区域内N电极底部的光被金属薄膜吸收导致芯片发光效率的浪费，因此提高N电极底部此部分光反射率成为垂直LED的N电极结构优化的一个重要研究方向。目前现有技术主要是在N电极底部增加一层反射率高且功函本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直发光二极管，其特征在于，包括：/n金属衬底，所述金属衬底设置在底部；/n发光层，设置在金属衬底上方，所述发光层包括自下而上设置的P型半导体材料层、量子阱层、N型半导体材料层；/nITO层，设置在N型半导体材料层上表面，所述所述ITO层上均匀设置有具有固定间隔周期的贯穿孔，所述ITO层以及所述贯穿孔的高度均为所述发光二极管发光波长的四分之一；在所述贯穿孔中固定设置第一金属材料电极；在所述ITO层的上表面设置有与所述ITO层以及所述第一金属材料电极接触的第二金属材料电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种垂直发光二极管，其特征在于，包括：
金属衬底，所述金属衬底设置在底部；
发光层，设置在金属衬底上方，所述发光层包括自下而上设置的P型半导体材料层、量子阱层、N型半导体材料层；
ITO层，设置在N型半导体材料层上表面，所述所述ITO层上均匀设置有具有固定间隔周期的贯穿孔，所述ITO层以及所述贯穿孔的高度均为所述发光二极管发光波长的四分之一；在所述贯穿孔中固定设置第一金属材料电极；在所述ITO层的上表面设置有与所述ITO层以及所述第一金属材料电极接触的第二金属材料电极。


2.根据权利要求1所述的一种垂直发光二极管，其特征在于，所述第二金属材料电极覆盖在整个ITO层表面。


3.根据权利要求1所述的一种垂直发光二极管，其特征在于，所述发光二极管发光为近紫外光。


4.根据权利要求1所述的一种垂直发光二极管，其特征在于，所述金属衬底和所述发光层之间设置有反射镜层，所述反射镜层为金属反射镜。


5.根据权利要求1所述的一种垂直发光二极管，其特征在于，所述垂直发光二极管还包括键合层，所述键合层设置在所述衬底的上表面。


6.根据权利要求1所述的一种垂直发光二极管，其特征在于，第一金属材料电极为铝电极，第二金属材料电极为Ti/Au电极。...

【专利技术属性】
技术研发人员：尉尊康，崔志勇，郭凯，薛建凯，
申请(专利权)人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14