具三元化合物反射结构的发光二极体制造技术

本实用新型专利技术提供一种具三元化合物反射结构的发光二极体，包括于一透明基板上依序层迭设置有一N型半导体层、一多重量子阱、一P型半导体层及一电流扩散层，于该N型半导体层上设有一N型电极，于该P型半导体层上设有一P型电极，将一电流阻挡层设于该电流扩散层与该N形半导体层之间，并位于该P型电极的正下方及该多重量子阱的一侧，于该透明基板的底面设有一布拉格反射层，该布拉格反射层是由复数成对层迭的NbTiO

【技术实现步骤摘要】
具三元化合物反射结构的发光二极体
本技术涉及一种发光二极体的结构方面的
，尤指一种可将发光二极体的总反射率大幅提高，以达到提升发光亮度进而节省电力等功效的具三元化合物反射结构的发光二极体者。
技术介绍
早期发光二极体的结构，如图1所示，主要是由一透明基板10、一N型半导体层11、一多重量子阱12、一P型半导体层13、一电流扩散层14、一N型电极15、一P型电极16及一电流阻挡层17所构成，其中该N型半导体层11层迭于该透明基板10上，该多重量子阱12层迭于该N型半导体层11上，该P型半导体层13层迭于该多重量子阱12上，该电流扩散层14层迭于该P型半导体层14上，该N型电极15设于该N型半导体层11上，该P型电极16设于该P型半导体层13上，该电流阻挡层17设于该电流扩散层14与该N形半导体层11之间，并位于该P型电极16的正下方及该多重量子阱12的一侧。当该发光二极体于发光时，该光源有一大部分会由该透明基板10透射出去，而使该光源形成大量散逸的现象，进而导致该发光二极体于使用时的亮度减弱。有鉴于此，本申请人乃针对上述的问题，而深本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具三元化合物反射结构的发光二极体，其特征在于，包括：/n一透明基板；/n一N型半导体层，其层迭于所述透明基板上；/n一多重量子阱，其层迭于所述N型半导体层上；/n一P型半导体层，其层迭于所述多重量子阱上；/n一电流扩散层，其层迭于所述P型半导体层上；/n一N型电极，其设于所述N型半导体层上；/n一P型电极，其设于所述P型半导体层上；/n一电流阻挡层，其设于所述电流扩散层与所述N型半导体层之间，并位于所述P型电极的正下方及所述多重量子阱的一侧；以及/n一布拉格反射层，其设于所述透明基板的底面，且系为复数成对层迭的NbTiO

【技术特征摘要】
20190221 TW 1082021971.一种具三元化合物反射结构的发光二极体，其特征在于，包括：
一透明基板；
一N型半导体层，其层迭于所述透明基板上；
一多重量子阱，其层迭于所述N型半导体层上；
一P型半导体层，其层迭于所述多重量子阱上；
一电流扩散层，其层迭于所述P型半导体层上；
一N型电极，其设于所述N型半导体层上；
一P型电极，其设于所述P型半导体层上；
一电流阻挡层，其设于所述电流扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：江泓逸，庄渊州，张煌明，王俊凯，蔡宗晏，李俊仪，陈永升，潘泓任，薛旭宏，王谨铭，杨志民，
申请(专利权)人：光驰科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾;71