一种Mini LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种Mini LED芯片，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本实用新型专利技术提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种MiniLED芯片
本技术涉及半导体器件
，更为具体地说，涉及一种MiniLED(MiniLightEmittingDiode，微发光二极管)芯片。
技术介绍
液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)具有重量轻、厚度薄、易于驱动、不含有害射线等优点，广泛应用于电视、笔记本电脑、移动电话等现代信息设备。但是，由于LCD自身不发光，因此，需要通过耦合外部光源来实现显示，导致LCD相应显示装置较厚。为了适应显示面板轻薄化的发展趋势，在LCD之后出现了有机电致发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示面板，其具备自发光、不需背光源、对比度高、厚度薄、响应速度快、可用于挠曲性面板等优异的特性。随着显示面板的更新换代，现在市场上出现了一种新型的显示面板-微发光二极管(MiniLED)显示面板，其也属于主动发光器件，且相较于OLED显示面板，其响应速度更快、使用温度范围更宽、光源利用率更高、寿命更长、成本更低、这些优势使得微LED的显示面板有望成为未来显示面板的主流。并且，RGBMiniLED芯片克服了正装芯片的焊接及可靠性的缺陷，同时结合COB封装(ChipsonBoard，板上芯片封装)的优势，使显示屏点间距进一步缩小，对应的终端产品的视觉效果大幅提升，同时视距能够大幅减小，使得户内显示屏能够进一步取代原有的LCD市场。另一方面，RGBMiniLED芯片搭配柔性基板的使用，也能够实现曲面的高画质显示效果，加上其自发光的特性，在一些特殊造型需求(如汽车显示)方面有极为广阔的市场。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供了一种MiniLED芯片，有效解决现有技术存在的技术问题，提高了MiniLED芯片的发光效率和可靠性，且同时保证MiniLED芯片的发光角度达到预期的效果。为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：一种MiniLED芯片，包括：依次叠加的生长衬底和发光外延，所述发光外延包括依次叠加的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述发光层具有裸露所述第一类型半导体层的电极接触镂空；位于所述第二类型半导体层背离所述生长衬底一侧的透明导电层，且所述透明导电层对应所述电极接触镂空处相应为镂空；位于所述透明导电层背离所述生长衬底一侧的扩展电极；覆盖所述透明导电层和所述扩展电极背离所述生长衬底一侧裸露表面及所述电极接触镂空处的绝缘隔离反射层，其中，所述绝缘隔离反射层对应所述电极接触镂空处具有裸露所述第一类型半导体层的第一通孔，且对应所述扩展电极处具有裸露所述扩展电极的第二通孔；以及，位于所述绝缘隔离反射层背离所述生长衬底一侧的第一键合电极和第二键合电极，其中，所述第一键合电极通过所述第一通孔与所述第一类型半导体层接触，及所述第二键合电极通过所述第二通孔与所述扩展电极接触。可选的，所述第一键合电极和所述第二键合电极中至少之一者具有多个孔洞。可选的，具有所述多个孔洞的键合电极中，所述多个孔洞划分为第一孔洞组和第二孔洞组；其中，所述第一孔洞组和所述第二孔洞组关于所述第一通孔至所述第二通孔的连线为对称轴对称。可选的，所述绝缘隔离反射层还延伸覆盖至所述发光外延的侧面裸露面处。可选的，所述绝缘隔离反射层为DBR绝缘隔离反射层。可选的，所述DBR绝缘隔离反射层为SiO2、SiN、TiO2、Ta2O5、MgF中任意组合形成的DBR反射膜系层结构。可选的，所述电极接触镂空为电极接触孔，所述电极接触孔位于所述第二类型半导体层和所述发光层的覆盖区域范围内。相较于现有技术，本技术提供的技术方案至少具有以下优点：本技术提供了一种MiniLED芯片，包括：依次叠加的生长衬底和发光外延，所述发光外延包括依次叠加的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述发光层具有裸露所述第一类型半导体层的电极接触镂空；位于所述第二类型半导体层背离所述生长衬底一侧的透明导电层，且所述透明导电层对应所述电极接触镂空处相应为镂空；位于所述透明导电层背离所述生长衬底一侧的扩展电极；覆盖所述透明导电层和所述扩展电极背离所述生长衬底一侧裸露表面及所述电极接触镂空处的绝缘隔离反射层，其中，所述绝缘隔离反射层对应所述电极接触镂空处具有裸露所述第一类型半导体层的第一通孔，且对应所述扩展电极处具有裸露所述扩展电极的第二通孔；以及，位于所述绝缘隔离反射层背离所述生长衬底一侧的第一键合电极和第二键合电极，其中，所述第一键合电极通过所述第一通孔与所述第一类型半导体层接触，及所述第二键合电极通过所述第二通孔与所述扩展电极接触。由上述内容可知，本技术提供的技术方案，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了MiniLED芯片的发光效率。进一步的，由于本技术提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了MiniLED芯片的可靠性，且同时保证MiniLED芯片的发光角度达到预期的效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的一种MiniLED芯片的结构示意图；图2为本技术实施例提供的另一种MiniLED芯片的结构示意图；图3为本技术实施例提供的又一种MiniLED芯片的结构示意图；图4为本技术实施例提供的一种MiniLED芯片的制作方法的流程图；图5a-图5f为图4中各步骤相应的结构示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，随着显示面板的更新换代，现在市场上出现了一种新型的显示面板-微发光二极管(MiniLED)显示面板，其也属于主动发光器件，且相较于OLED显示面板，其响应速度更快、使用温度范围更宽、光源利用率更高、寿命更长、成本更低、这些优势使得微LED的显示面板有望成为未来显示面板的主流。并且，RGBMiniLED芯片克服了正装芯片的焊接及可靠性的缺陷，同时结合COB封装(Chipson本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Mini LED芯片，其特征在于，包括：/n依次叠加的生长衬底和发光外延，所述发光外延包括依次叠加的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述发光层具有裸露所述第一类型半导体层的电极接触镂空；/n位于所述第二类型半导体层背离所述生长衬底一侧的透明导电层，且所述透明导电层对应所述电极接触镂空处相应为镂空；/n位于所述透明导电层背离所述生长衬底一侧的扩展电极；/n覆盖所述透明导电层和所述扩展电极背离所述生长衬底一侧裸露表面及所述电极接触镂空处的绝缘隔离反射层，其中，所述绝缘隔离反射层对应所述电极接触镂空处具有裸露所述第一类型半导体层的第一通孔，且对应所述扩展电极处具有裸露所述扩展电极的第二通孔；/n以及，位于所述绝缘隔离反射层背离所述生长衬底一侧的第一键合电极和第二键合电极，其中，所述第一键合电极通过所述第一通孔与所述第一类型半导体层接触，及所述第二键合电极通过所述第二通孔与所述扩展电极接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种MiniLED芯片，其特征在于，包括：
依次叠加的生长衬底和发光外延，所述发光外延包括依次叠加的第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层，其中，所述第二类型半导体层和所述发光层具有裸露所述第一类型半导体层的电极接触镂空；
位于所述第二类型半导体层背离所述生长衬底一侧的透明导电层，且所述透明导电层对应所述电极接触镂空处相应为镂空；
位于所述透明导电层背离所述生长衬底一侧的扩展电极；
覆盖所述透明导电层和所述扩展电极背离所述生长衬底一侧裸露表面及所述电极接触镂空处的绝缘隔离反射层，其中，所述绝缘隔离反射层对应所述电极接触镂空处具有裸露所述第一类型半导体层的第一通孔，且对应所述扩展电极处具有裸露所述扩展电极的第二通孔；
以及，位于所述绝缘隔离反射层背离所述生长衬底一侧的第一键合电极和第二键合电极，其中，所述第一键合电极通过所述第一通孔与所述第一类型半导体层接触，及所述第二键合电极通过所述第二通孔与所述扩展电极接触。


2.根据权利要求1所述的MiniLED芯片，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘英策，李俊贤，刘兆，黄瑄，邬新根，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35