一种改性金锡电极、LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种改性金锡电极、LED芯片，通过在所述电流扩展层表面依次堆叠的稳压层和金锡合金层，从而形成改性金锡电极，能减少金锡电极对LED芯片工作电压的影响。通过将其N型电极和P型电极采用上述的改性金锡电极，并结合芯片内部的扩展电极及绝缘保护层的设计，使N型电极层叠于所述绝缘保护层，并覆盖所述第三通道与所述第一扩展电极形成电连接；使P型电极层叠于所述绝缘保护层，并覆盖所述第二通道与所述第二扩展电极形成电连接。在保障LED芯片内量子效率的同时，能减少金锡电极对LED芯片工作电压的影响；并提高电极的粘附性，防止电极与外延叠层剥离，进而延长LED芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种改性金锡电极、LED芯片
本技术涉及发光二极管领域，尤其涉及一种改性金锡电极、LED芯片。
技术介绍
随着LED技术的快速发展以及LED光效的逐步提高，LED的应用也越来越广泛，人们越来越关注LED在照明市场的发展前景。LED芯片，作为LED灯的核心组件，其功能就是把电能转化为光能，具体的，包括外延片和分别设置在外延片上的N型电极和P型电极。所述外延片包括P型半导体层、N型半导体层以及位于所述N型半导体层和P型半导体层之间的有源层，当有电流通过LED芯片时，P型半导体中的空穴和N型半导体中的电子会向有源层移动，并在所述有源层复合，使得LED芯片发光。目前，LED芯片的N型电极和P型电极大多采用金锡电极，即通过金锡合金直接与作为电流扩展层的金单质接触；随着LED芯片工作时间的推移，其工作电流势必会产生的一定的温度，尤其是大功率LED芯片，极易产生金锡合金与金单质进一步互熔的现象；然而，由于金锡合金的导电率远小于金单质的导电率(其中，金锡合金的导电率为6.1*102S/m，金的导电率为4.5*107S/m)，作为电流扩展层的金势必会被消本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改性金锡电极，其特征在于，包括：/n电流扩展层；/n在所述电流扩展层表面依次堆叠的稳压层和金锡合金层；所述稳压层用于稳定所述电流扩展层的电压，且所述稳压层的组成材料分别与所述电流扩展层的组成材料、金锡合金层的组成材料固态共融。/n

【技术特征摘要】
1.一种改性金锡电极，其特征在于，包括：
电流扩展层；
在所述电流扩展层表面依次堆叠的稳压层和金锡合金层；所述稳压层用于稳定所述电流扩展层的电压，且所述稳压层的组成材料分别与所述电流扩展层的组成材料、金锡合金层的组成材料固态共融。


2.根据权利要求1所述的改性金锡电极，其特征在于，所述稳压层的组成材料的熔点均高于所述电流扩展层的组成材料的熔点、及金锡合金层的组成材料的熔点。


3.根据权利要求1或2所述的改性金锡电极，其特征在于，所述电流扩展层包括Au金属单质。


4.根据权利要求3所述的改性金锡电极，其特征在于，所述稳压层包括Zr金属、Ru金属、Pd金属的任意一种。


5.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
设置于所述衬底表面的外延叠层，所述外延叠层包括沿第一方向依次堆叠的N型半导体层、有源区以及P型半导体层，且所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的N型半导体层，形成第一通道，且所述第一通道将所述外延叠层分割形成第一台面和第二台面；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；
透明导电层，其层叠于所述第二台面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄瑄，李俊贤，刘英策，邬新根，周弘毅，
申请(专利权)人：厦门乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35